[发明专利]存储器单元阵列

权利要求书

1.一种存储器单元阵列，个别所述存储器单元包括垂直铁电场效晶体管构造，所述垂直场效晶体管包括：

隔离芯；

过渡金属二硫属化物材料，其围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度；

铁电栅极电介质材料，其围绕所述过渡金属二硫属化物材料；

导电栅极材料，其围绕所述铁电栅极电介质材料，所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸；及

导电接触件，其直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外，其中所述立面涉及相对于已在其上制造电路的基底衬底的垂直方向。

2.根据权利要求1所述的阵列，其中所述隔离芯、所述过渡金属二硫属化物材料及所述铁电栅极电介质材料各自具有在水平横截面中成圆形的相应周边。

3.根据权利要求1所述的阵列，其中所述过渡金属二硫属化物材料的侧向壁厚度不超过4个单层。

4.根据权利要求3所述的阵列，其中所述过渡金属二硫属化物材料的侧向壁厚度不超过2个单层。

5.根据权利要求1所述的阵列，其中所述过渡金属二硫属化物材料包括MoS₂、WS₂、InS₂、MoSe₂、WSe₂及InSe₂中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的阵列，其中直接抵靠所述侧壁的所述导电接触件的材料为元素金属、元素金属的合金及/或导电金属化合物。

7.根据权利要求1所述的阵列，其中直接抵靠所述侧壁的所述导电接触件的材料为导电掺杂半导电材料。

8.根据权利要求1所述的阵列，其中所述铁电栅极电介质材料具有1纳米到30纳米的侧向壁厚度。

9.根据权利要求8所述的阵列，其中所述铁电栅极电介质材料具有2纳米到10纳米的侧向壁厚度。

10.根据权利要求1所述的阵列，其中所述过渡金属二硫属化物材料的侧向壁厚度不超过2个单层，且所述铁电栅极电介质材料具有2纳米到10纳米的侧向壁厚度。

11.根据权利要求1所述的阵列，其中所述导电接触件直接抵靠从所述导电栅极材料立面向外的所述过渡金属二硫属化物材料的所述侧向外侧壁。

12.根据权利要求1所述的阵列，其中所述过渡金属二硫属化物材料具有立面最外端表面及立面最内端表面，所述导电接触件未直接抵靠最接近所述导电接触件侧向直接抵靠的所述过渡金属二硫属化物材料的所述侧向外侧壁的所述端表面中的一者。

13.根据权利要求1所述的阵列，其中所述过渡金属二硫属化物材料具有立面最外端表面及立面最内端表面，所述导电接触件还直接抵靠最接近所述导电接触件侧向直接抵靠的所述过渡金属二硫属化物材料的所述侧向外侧壁的所述端表面中的一者。

14.根据权利要求13所述的阵列，其中所述导电接触件直接抵靠的所述过渡金属二硫属化物材料的侧壁表面面积大于所述导电接触件直接抵靠的所述过渡金属二硫属化物材料的端壁表面面积。

15.根据权利要求1所述的阵列，其中所述导电接触件直接抵靠从所述导电栅极材料立面向内的所述过渡金属二硫属化物材料的所述侧向外侧壁。