[发明专利]一种高压供电电路及开环控制电源系统在审
| 申请号： | 201810948768.X | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109104788A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 阳玉才;胡渊;张启超;覃华新 | 申请（专利权）人： | 深圳市富满电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/08 | 分类号： | H05B33/08 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压供电电路 电压校准电路 稳压 电源系统 开环控制 外接电路 电路 供电 布线难度 电性连接 反馈控制 生产效率 输出电容 输出电压 维持稳定 物料成本 芯片控制 高压电 接地 干扰度 开环 新能源 生产成本 市电 输出 | ||
1.一种高压供电电路，其特征在于：所述高压供电电路的第1端与市电高压电性连接，所述高压供电电路的第2端与稳压及电压校准电路的一端电性连接，所述稳压及电压校准电路的另一端接地，所述高压供电电路的第3端作为所述高压供电电路的输出为外接电路进行供电。
2.根据权利要求1所述的高压供电电路，其特征在于：所述高压供电电路包括场效应晶体管J1，所述场效应晶体管J1的漏极D与市电高压VM1相连，所述场效应晶体管J1的栅极G接地，所述场效应晶体管J1的源极S通过电阻R10后与所述稳压及电压校准电路相连，所述场效应晶体管J1的源极S与开关管Q1的第1端相连，所述开关管Q1的第2端通过电阻R11后与电阻R10、稳压及电压校准电路的公共连接点相连，所述开关管Q1的第3端作为所述高压供电电路的输出为外接电路进行供电。
3.根据权利要求2所述的高压供电电路，其特征在于：所述高压供电电路还包括电容Cg，所述电容Cg的一端与所述电容R11、开关管Q1的第2端的公共连接点相连，所述电容Cg的另一端接地。
4.根据权利要求2所述的高压供电电路，其特征在于：所述场效应晶体管J1为结型场效应晶体管。
5.根据权利要求4所述的高压供电电路，其特征在于：所述开关管Q1为NMOS管，所述NMOS管的漏极D与所述结型场效应晶体管的源极S相连，所述NMOS管的栅极G通过电阻R11后与电阻R10、稳压及电压校准电路的公共连接点相连，所述NMOS管的源极S作为所述高压供电电路的输出为外接电路进行供电。
6.一种开环控制电源系统，所述开环控制电源系统包括稳压及电压校准电路和市电高压，其特征在于：还包括高压供电电路，所述高压供电电路的第1端与市电高压电性连接，所述高压供电电路的第2端与所述稳压及电压校准电路的一端电性连接，所述稳压及电压校准电路的另一端接地，所述高压供电电路的第3端作为所述高压供电电路的输出为外接电路进行供电。
7.根据权利要求6所述的开环控制电源系统，其特征在于：所述高压供电电路包括场效应晶体管J1，所述场效应晶体管J1的漏极D与市电高压VM1相连，所述场效应晶体管J1的栅极G接地，所述场效应晶体管J1的源极S通过电阻R10后与所述稳压及电压校准电路相连，所述场效应晶体管J1的源极S与开关管Q1的第1端相连，所述开关管Q1的第2端通过电阻R11后与电阻R10、稳压及电压校准电路的公共连接点相连，所述开关管Q1的第3端作为所述高压供电电路的输出为外接电路进行供电。
8.根据权利要求7所述的开环控制电源系统，其特征在于：所述高压供电电路还包括电容Cg，所述电容Cg的一端与所述电容R11、开关管Q1的第2端的公共连接点相连，所述电容Cg的另一端接地。
9.根据权利要求7所述的开环控制电源系统，其特征在于：所述场效应晶体管J1为结型场效应晶体管。
10.根据权利要求9所述的开环控制电源系统，其特征在于：所述开关管Q1为NMOS管，所述NMOS管的漏极D与所述结型场效应晶体管的源极S相连，所述NMOS管的栅极G通过电阻R11后与电阻R10、稳压及电压校准电路的公共连接点相连，所述NMOS管的源极S作为所述高压供电电路的输出为外接电路进行供电。
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