[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

TFT阵列层，

彩色滤光层，设置在所述TFT阵列层上，包括多个色阻单元，所述多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，且对应形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，蓝色子像素两侧区域的厚度大于蓝色子像素中间区域的厚度，且厚度差超过0.5微米；

钝化层，设置在所述彩色滤光层上，包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和凸设在所述钝化层本体上的凸部，所述凸部的厚度为0.3微米~0.5微米，所述钝化层的材料为可溶性聚四氟乙烯；以及

像素电极层，设置在所述钝化层上；

其中所述凸部对应设置在所述蓝色子像素两侧区域的上方。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凸部的宽度为蓝色子像素宽度的1/5~1/4。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凸部的截面形状为矩形。

4.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法的步骤包括：

S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT阵列层；

S2：在所述TFT阵列层上形成多个色阻单元，得到彩色滤光层，

所述多个色阻单元分别填充红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，对应形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，蓝色子像素两侧区域的厚度大于蓝色子像素中间区域的厚度，且厚度差超过0.5微米；

S3：在所述彩色滤光层上涂布光刻胶；

S4：通过半色调掩模板对所述光刻胶进行图案化处理，得到钝化层，以使所述钝化层对应于所述蓝色子像素两侧区域的位置形成一凸部，所述凸部的厚度为0.3微米~0.5微米，所述钝化层的材料为可溶性聚四氟乙烯，

所述钝化层包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和设置在所述钝化层本体上的所述凸部；

S5：在所述钝化层上形成像素电极层。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半色调掩模板包括第一透光部和第二透光部，所述第一透光部的透光率大于所述第二透光部的透光率，所述光刻胶为负性光刻胶，所述步骤S4包括以下步骤：

S41：将所述第一透光部设置在所述光刻胶对应于所述蓝色子像素的两侧区域的上方，将所述第二透光部设置在所述光刻胶对应于除所述蓝色子像素两侧区域外的其他区域的上方；

S42：透过所述半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影处理，得到钝化层，所述钝化层包括覆盖所述彩色滤光层的钝化层本体和对应于所述蓝色子像素两侧区域的凸部。

6.根据权利要求4所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述凸部的宽度为蓝色子像素宽度的1/5~1/4。

7.根据权利要求4所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述凸部的截面形状为矩形。