[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201810949020.1 | 申请日: | 2018-08-20 |
公开(公告)号: | CN109273490B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 王海 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括:COF基板、第一FPC基板、第二FPC基板、阵列基板以及触控面板,阵列基板包括PI层以及位于PI层上的多个像素电路;第一FPC基板固定在COF基板的第一侧,COF基板的第二侧固定在PI层的边缘,第二FPC基板固定在触控面板的边缘,第二FPC基板与COF基板位于显示面板相对的两侧;第一FPC基板上设置有电源管理集成电路,第二FPC基板上设置有触控集成电路,且COF基板上还设置有驱动集成电路;每个像素电路中均包含有一个发光二极管,像素电路用于接收电源管理集成电路或者驱动集成电路输出的VDD电压以及触控集成电路输出的VSS电压,控制发光二极管发光。本发明可以提高显示面板的亮度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着三星S8/Note8柔性OLED显示屏手机系列的大获成功,特别是Iphone X也采用了OLED显示屏,表明柔性显示是未来极具竞争优势的显示技术。然而因OLED显示屏内部电源走线不可避免的会引入电阻,当电源走线上有电流时,会产生电压降,这些电流用于驱动显示屏内部的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)发光,电源走线上产生的电压降会导致显示屏内部的TFT的电流有变化,使得显示屏的亮度也会不均匀。
一般OLED显示屏的电源布线如图1所示,图2为OLED显示屏上像素发光时的电流图,图3为OLED显示屏中VDD电压的布线图,图4为OLED显示屏中VSS电压的布线图。图3、4中,1’为阵列基板,2’为金属线,3’为COF(覆晶薄膜),4’和8’均为FPC(柔性电路板),5’为驱动集成电路(Driver Integrated Circuit,DIC),6’和9’均为连接器,7’为电源管理集成电路(Power Management Integrated Circuit,PMIC),10’为触控集成电路(Touch IntegratedCircuit,TIC)。由于显示屏上VDD电压接入端和VSS电压接入端分布在显示屏上相对的两侧,如图1所示,VDD电压和VSS电压均由靠近VDD电压接入端的电源管理集成电路供电,这样会导致电源管理集成电路与VSS电压接入端之间的金属走线的有效长度大于电源管理集成电路与VDD电压接入端之间的金属走线的有效长度,由于金属走线上存在电阻,所以VSS电压接入端的电压降(IR drop)总是比VDD电压接入端的电压降高,而且在不同像素上,VDD电压因金属走线的电阻而减小的量和VSS电压因金属走线的电阻而升高的量也不同,例如从像素P(n+1)到像素P(n-1)的方向,越靠近驱动集成电路的像素,其对应的VSS电压端的电压降在整个电源走线上的电压降所占的比重越来越大,远离驱动集成电路的的像素,其对应的VDD电压端的电压降在整个电源走线上的电压降所占的比重越来越大,而且VDD电压端的电压降引起的亮度变化是非线性的。VSS电压的电压降和VDD电压的电压降会使得像素两端的有效电压减小,导致像素发光亮度会减小,当VSS电压的电压降绝对值越大,则像素的发光亮度就会越小。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种显示面板及其制备方法,可以提高显示面板的亮度。
本发明提供的一种显示面板,包括:COF基板、第一FPC基板、第二FPC基板、阵列基板以及位于所述阵列基板上的触控面板,所述阵列基板包括PI层以及位于所述PI层上的多个像素电路;
所述第一FPC基板固定在所述COF基板的第一侧,所述COF基板的第二侧固定在所述PI层上,所述第二FPC基板固定在所述触控面板的边缘,所述第二FPC基板与所述COF基板位于显示面板相对的两侧;
所述第一FPC基板上设置有电源管理集成电路,所述第二FPC基板上设置有触控集成电路,且所述COF基板上还设置有驱动集成电路;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的