[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审

申请号：	201810949620.8	申请日：	2018-08-20
公开（公告）号：	CN109411581A	公开（公告）日：	2019-03-01
发明（设计）人：	苏晨;王慧;胡加辉	申请（专利权）人：	华灿光电（浙江）有限公司
主分类号：	H01L33/14	分类号：	H01L33/14;H01L33/00;B82Y40/00
代理公司：	北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138	代理人：	徐立
地址：	322000 浙江省***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	电子阻挡层量子阱层发光二极管外延未掺杂垒层浅阱氮化镓层衬底源层半导体技术领域空穴氮化铝铟层氮化铟镓层非辐射复合电子跃迁交替层叠依次层叠制造搭配
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【权利要求书】：

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、浅量子阱层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述浅量子阱层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述浅量子阱层包括多个浅阱层和多个浅垒层，所述多个浅阱层和所述多个浅垒层交替层叠设置；所述浅阱层为未掺杂的氮化铟镓层，其特征在于，所述浅垒层包括未掺杂的氮化镓层以及插入在所述氮化镓层中的至少一个未掺杂的氮化铝铟层，所述氮化铝铟层的厚度为所述浅垒层的厚度的25％～75％。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化铝铟层为Al_xIn_1-xN层，0.6≤x≤0.9。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化铝铟层两侧的氮化镓层的厚度相等。

4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述浅垒层还包括插入在所述氮化镓层和所述浅阱层之间的未掺杂的氮化铝铟层，插入在所述氮化镓层和所述浅阱层之间的氮化铝铟层、以及插入在所述氮化镓层中的氮化铝铟层与所述氮化镓层形成超晶格结构。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述浅垒层的厚度为20nm～60nm。

6.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述浅垒层的数量为2个～10个。

7.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长N型半导体层、浅量子阱层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层；

其中，所述浅量子阱层包括多个浅阱层和多个浅垒层，所述多个浅阱层和所述多个浅垒层交替层叠设置；所述浅阱层为未掺杂的氮化铟镓层，所述浅垒层包括未掺杂的氮化镓层以及插入在所述氮化镓层中的至少一个未掺杂的氮化铝铟层，所述氮化铝铟层的厚度为所述浅垒层的厚度的25％～75％。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述氮化铟镓层、所述氮化镓层、以及所述氮化铝铟层的生长条件相同，所述生长条件包括生长温度和生长压力。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述浅量子阱层的生长温度为800℃～900℃，所述浅量子阱层的生长压力为100torr～300torr。

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