[发明专利]一种光电转换器件、显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201810949871.6 | 申请日: | 2018-08-20 |
公开(公告)号: | CN109103226B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 梁爽;刘英伟;曹占锋;梁志伟;狄沐昕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L41/113 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 转换 器件 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种光电转换器件、显示面板及其制作方法,以提供一种新型的光电转换器件的结构。所述光电转换器件,包括:压电传感构件、位于所述压电传感构件之上与至少部分所述压电传感构件接触的光致形变构件,其中,所述光致形变构件用于在受光照射时产生形变,并引起所述压电传感构件产生形变以形成电信号。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光电转换器件、显示面板及其制作方法。
背景技术
光电转换器件主要是利用光电效应将光信号转换成电信号。自光电效应发现至今,光电转换器件获得了突飞猛进的发展,目前各种光电转换器件已广泛地应用在各行各业。
发明内容
本发明提供一种光电转换器件、显示面板及其制作方法,以提供一种新型的光电转换器件的结构。
本发明实施例提供一种光电转换器件,包括:压电传感构件、位于所述压电传感构件之上与至少部分所述压电传感构件接触的光致形变构件,其中,
所述光致形变构件用于在受光照射时产生形变,并引起所述压电传感构件产生形变以形成电信号。
在一种可能的实施方式中,所述压电传感构件包括依次层叠设置的第一电极、压电膜层和第二电极。
在一种可能的实施方式中,所述光致形变构件包括光致形变膜层,所述光致形变膜层的材质为交联液晶高分子。
本发明实施例还提供一种显示面板,包括:设置在衬底基板之上的发光器件和多个本发明实施例提供的所述光电转换器件,多个所述光电转换器件用于接受手指反射的光线,对手指指纹进行识别。
在一种可能的实施方式中,所述衬底基板与所述压电传感构件之间还设置有第一膜层,所述第一膜层在与所述压电传感构件对应的位置处设置有镂空区域;
所述光致形变构件之上还设置有第二膜层,所述第二膜层朝向所述光致形变构件的一面在与所述压电传感构件对应的区域设置有凹槽;
所述第一膜层的所述镂空区域与所述第二膜层的所述凹槽构成空腔结构,所述压电传感构件的设置有所述光致形变构件的部分与所述光致形变构件位于所述空腔结构内。
在一种可能的实施方式中,所述第二膜层在所述凹槽的位置处还设置有通孔,所述通孔由所述凹槽的内底面延伸至所述第二膜层背离所述第一膜层的上表面;
所述第二膜层之上还设置有第三膜层,所述第三膜层具有填充所述通孔的填充部。
在一种可能的实施方式中,所述衬底基板与所述第一膜层之间设置有第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极与所述压电传感构件的所述第一电极连接;
与所述第一薄膜晶体管的所述源极的同层还设置有第二电极引线,所述第二电极引线与所述压电传感构件的所述第二电极连接。
在一种可能的实施方式中,所述显示面板还设置有驱动各个所述发光器件发光的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的各个膜层与所述第二薄膜晶体管的各个对应膜层同层设置,所述发光器件位于所述第三膜层之上。
在一种可能的实施方式中,还包括位于所述第三膜层远离所述衬底基板一侧的阳极像素界定层,所述像素界定层位于相邻两个所述阳极之间的部分在所述衬底基板上的正投影与所述光致形变构件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
本发明实施例还提供一种制作如本发明实施例提供的所述显示面板的制作方法,所述制作方法包括:
在衬底基板之上形成压电传感构件;
在部分所述压电传感构件之上形成光致形变构件。
在一种可能的实施方式中,在衬底基板之上形成第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第二电极引线;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的