[发明专利]硅麦克风及其制造方法

权利要求书

1.一种制造硅麦克风方法，其特征在于，包括：

形成一振膜体和一背板体；

所述振膜体的第一表面设置有振动膜，在所述振膜体中还设置有从所述振膜体的第二表面延伸至所述振动膜的中间区域处的腔体，所述振膜体的第一表面与所述振膜体的第二表面相对；

所述背板体包括背板和位于所述背板的第一表面的边缘区域上的支撑层，所述背板的中间区域设置有多个声孔；

将所述背板体以所述背板的第一表面朝向所述振膜体的第一表面的方式键合在所述振膜体上，使得所述振动膜的中间区域和所述背板的中间区域通过所述支撑层间隔开，以形成以空气间隙，所述振动膜的中间区域和所述背板的中间区域相对应。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合的方式为硅硅键合。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述振动膜第一表面的中间区域上形成凸起结构，所述振动膜的第一表面即为所述振膜体的第一表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述凸起结构的方法包括：

在所述振膜体第一表面上形成一层第一绝缘层；

选择性的刻蚀所述第一绝缘层以在所述振动膜第一表面的中间区域上形成所述凸起结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括在所述振动膜上刻蚀一个用于释放空气的通孔。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述腔体靠近所述振膜体第二表面方向的开口小于靠近所述振动膜方向的开口。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述振膜体的方法包括：

提供一第一SOI硅基，所述第一SOI硅基中第一埋氧层上方的硅基为所述振动膜；

依次选择性地腐蚀所述第一SOI硅基中第一埋氧层下方的硅基以及所述第一埋氧层以形成位于所述振动膜的中间区域下方的所述腔体，

其中，所述第一SOI硅基中第一埋氧层上方的硅基厚度小于所述第一埋氧层下方的硅基厚度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一埋氧层作为腐蚀所述第一埋氧层下方的硅基的阻挡层。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述振膜体的方法包括：

提供一单晶硅；

向所述单晶硅的第一表面进行掺杂以形成一层掺杂层，所述掺杂层的掺杂结深为预定深度；

从所述单晶硅的第二表面的中间区域面开始腐蚀直至所述掺杂层处以形成所述腔体，

其中，所述掺杂层为所述振膜体中的所述振动膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述单晶硅的第一表面进行掺杂的掺杂剂为硼。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述背板体的方法包括：

提供一第二SOI硅基，

在所述第二SOI硅基的第一表面的边缘区域上形成所述支撑层；

在所述第二SOI硅基第一表面的硅基中形成背板，其中，所述第二SOI硅基第一表面的硅基为距离所述第二SOI硅基中第二埋氧层近的一侧的硅基。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述支撑层的方法包括：

在所述第二SOI硅基的第一表面上形成第二绝缘层；

选择性的刻蚀所述第二绝缘层以在所述第二SOI硅基的第一表面的边缘区域上形成所述支撑层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述背板的方法包括：选择性的刻蚀所述第二SOI硅基第一表面其中一侧边缘区域的硅基以形成所述背板的图案。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括选择性的刻蚀所述背板的中间区域以形成多个所述声孔。