[发明专利]一种基于LPE法生产SiC的工艺在审

专利信息
申请号: 201810950315.0 申请日: 2018-08-20
公开(公告)号: CN108977885A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 孙月静 申请(专利权)人: 孙月静
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B19/02
代理公司: 北京华际知识产权代理有限公司 11676 代理人: 李浩
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 单质 碱金属 碳化硅单晶 熔剂 溶解 化学反应 低成本生产 惰性气体 工艺操作 加热 生产成本 生产 应用
【权利要求书】:

1.一种基于LPE法生产SiC的工艺,其特征在于,包括以下步骤:

S1、首先硅和碳的单质在2000℃-2500℃的惰性气体中加热,使得硅和碳的单质溶解在碱金属熔剂中;

S2、溶解后的硅和碳的单质在碱金属熔剂发生化学反应,形成碳化硅单晶。

2.根据权利要求1所述的一种基于LPE法生产SiC的工艺,其特征在于:所述碳化硅单晶是2H-SiC单晶或3C-SiC单晶。

3.根据权利要求1所述的一种基于LPE法生产SiC的工艺,其特征在于:通过冷却溶解有硅和碳的碱金属熔剂来得到碳化硅单晶。

4.根据权利要求3所述的一种基于LPE法生产SiC的工艺,其特征在于:通过加热所述硅,所述碳和所述碱金属将所述硅和所述碳溶解在所述碱金属熔剂中,并且将所述加热状态保持特定的时间长度,然后降低加热温度以冷却碱金属熔剂。

5.根据权利要求1所述的一种基于LPE法生产SiC的工艺,其特征在于:所述碱金属溶剂由锂(Li)、钠(Na)和钾(K)组成。

6.根据权利要求1所述的一种基于LPE法生产SiC的工艺,其特征在于:所述碳的基材料为石墨。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于孙月静,未经孙月静许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810950315.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top