[发明专利]一种制备含碳化硅体的方法在审
申请号: | 201810950358.9 | 申请日: | 2018-08-20 |
公开(公告)号: | CN108840338A | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 孙月静 | 申请(专利权)人: | 孙月静 |
主分类号: | C01B32/956 | 分类号: | C01B32/956;C04B35/565;C04B35/622 |
代理公司: | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺步骤 混合物层 空间图案 碳化硅体 混合物 硅源 制备 固体颗粒材料 局部限制 空间配置 生产 | ||
1.一种制备含碳化硅体的方法,该方法包括:a)提供具有硅源和碳源的混合物,其中硅源和碳源一起存在于固体颗粒材料的颗粒中;b)将在工艺步骤a)中提供的混合物层置于载体上,其中混合物层具有预定厚度;c)局部限制处理在工艺步骤b)中处理的混合物,温度范围为约1800℃-2500℃,根据预定的空间图案,其中基于待生产的身体的空间配置来选择预定的空间图案。
2.根据权利要求1的方法,其中通过使用激光进行工艺步骤c)。
3.根据权利要求1的方法,其中连续地重复进行方法步骤b)和c)。
4.根据权利要求3所述的方法,其中在两个连续的工艺步骤之间c)所述载体和用于处理所述混合物的热源之间的距离,所述热源的温度范围为约1800℃-2500℃;
5.根据权利要求1所述的方法,其中在工艺步骤b)之前,将用于将待制造的含碳化硅的主体与载体至少部分地分离的分离层施加到载体上。
6.根据权利要求5所述的方法,其中作为分离层,将所述混合物层施加到所述载体上,其中所述分离层在约1800℃的温度范围内局部处理。
7.根据权利要求8所述的方法,其中至少工艺步骤c)部分地在保护气体下并且部分地在包含气态掺杂剂的气体下进行,或者至少工艺步骤c)部分地在包含第一气体的气体下进行。气态掺杂剂和部分在包含第二气态掺杂剂的气体下。
8.根据权利要求1的方法,其中在工艺步骤a)中提供的混合物至少部分地包括硅源,碳源和掺杂剂,其中硅源和碳源以及掺杂剂一起存在于颗粒中。固体颗粒状物质。
9.如权利要求10所述的方法,其中,在工艺步骤a)中提供的混合物被部分地配置,使得硅源和碳源一起以固体颗粒材料的颗粒存在,并且颗粒不包含掺杂剂,并且进一步部分地配置混合物,使得硅源和碳源与掺杂剂一起存在于固体颗粒材料的颗粒中,或者混合物被部分地配置成使得硅源和碳源与第一掺杂剂一起存在于固体颗粒材料的颗粒和混合物进一步部分地构造成使得硅源和碳源与固体颗粒材料的颗粒中的第二掺杂剂一起存在。
10.根据权利要求1的方法,其中通过使用溶胶-凝胶方法提供方法步骤a)中提供的混合物。其中所述溶胶-凝胶工艺包括至少以下工艺步骤:d)提供包含硅前体,碳前体和任选的掺杂剂的前体混合物,其中所述前体混合物存在于溶剂中;e)在高温下处理前体混合物,同时干燥前体混合物;f)任选地将干燥的前体混合物加热至约800℃至约800℃的温度。
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