[发明专利]一种掩膜板有效
申请号: | 201810951517.7 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN109136879B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 杜骁 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 | ||
本发明提供一种掩膜板,该掩膜板包括:掩膜板本体,所述掩膜板本体上设置有多个间隔设置的蒸镀孔和至少一个环状的柔性阻挡部,所述蒸镀孔贯穿所述掩膜板本体,所述柔性阻挡部位于所述蒸镀孔的周缘的外侧,且所述柔性阻挡部位于所述掩膜板本体的靠近待封装显示面板一侧的表面上。本发明的掩膜板,能够避免封装层失效,提高了面板的性能。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种掩膜板。
【背景技术】
柔性有机发光二极管OLED显示设备是目前显示技术发展的热点方向,但是环境中的水氧浓度会极大影响OLED器件的寿命,因此OLED显示器件的封装是OLED显示器件使用寿命的关键。目前柔性OLED屏采用薄膜封装技术(Thin Film Ecapsulation,简称TFE),比如Barix封装技术(无机-有机多膜层封装),该封装技术具体制程包括CVD(化学气相沉积)、IJP(喷墨打印封装层)以及ALD(原子层沉积封装)制程,CVD、ALD的原理均是通过气体化学反应在基板表面的待封装的区域沉积形成一层封装薄膜。
目前在采用TFE封装技术对基板进行封装时,需使用金属掩膜板将封装薄膜限定在显示区域,也即仅在显示区域制作封装层,将面板其他区域与TFE膜层隔离,防止焊接区域被TFE膜层覆盖,以避免后续制程失效的问题。但是使用金属掩膜板在定义CVD或ALD成膜区域时,由于金属和基板接触处无法有效阻挡气体进入,导致现阶段CVD和ALD沉积的无机层均具有较大的阴影,如果阴影过大,会导致部分无机层过薄或者整个封装区域扩大到限定区域外,进而导致封装失效,影响显示器的性能。
因此,有必要提供一种掩膜板,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种掩膜板,能够提高封装效果和显示面板的性能。
为解决上述技术问题,本发明提供一种掩膜板,其包括:掩膜板本体,所述掩膜板本体上设置有多个间隔设置的蒸镀孔和至少一个环状的柔性阻挡部,所述蒸镀孔贯穿所述掩膜板本体,所述柔性阻挡部位于所述蒸镀孔的周缘的外侧,且所述柔性阻挡部位于所述掩膜板本体的靠近待封装显示面板一侧的表面上。
在本发明的掩膜板中,所述柔性阻挡部是通过在所述蒸镀孔的周缘的外侧的掩膜板本体上设置填充有柔性材料的环形槽形成的。
在本发明的掩膜板中,所述环形槽的深度为所述掩膜板本体厚度的10%~50%。
在本发明的掩膜板中,所述柔性材料为高分子材料。
在本发明的掩膜板中,位于所述蒸镀孔的周缘的外侧的掩膜板本体上设置有两个以上的柔性阻挡部,所述柔性阻挡部之间间隔设置,相邻两个所述柔性阻挡部之间的间距范围为5μm~50μm。
在本发明的掩膜板中,所述柔性阻挡部的高度与所述掩膜板本体的厚度之间的差值范围为1μm~30μm。
在本发明的掩膜板中,所述柔性阻挡部的宽度范围为5μm~100μm。
在本发明的掩膜板中,所述蒸镀孔中靠近待封装显示面板一侧的内壁的周缘上设置有防刮槽,所述柔性阻挡部位于所述防刮槽的外侧。
在本发明的掩膜板中,所述防刮槽的周缘的外侧设置有柔性保护套。
在本发明的掩膜板中,所述防刮槽的深度为所述掩膜板本体的厚度的30%~70%。
本发明的掩膜板,通过在掩膜板的蒸镀孔的周缘外设置至少一环绕蒸镀孔的柔性阻挡部,使得在进行封装制程时,掩膜板可紧密压合在待封装显示面板的表面,从而避免沉积的无机层的阴影过大,进而有效防止CVD或ALD的反应气体进入掩膜板限定区域以外的区域或者防止封装失效,提高了封装效果和显示面板的性能。
【附图说明】
图1为本发明掩膜板的平面示意图。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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