[发明专利]平衡有虚设铜图案的嵌入PCB单元表面的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在衬底的第一表面上方形成多个第一接触焊盘；

在所述衬底的第二表面上方形成多个第二接触焊盘；

在所述衬底的第二表面上方形成虚设图案，其中由所述第一接触焊盘覆盖的所述第一表面的面积近似等于由所述第二接触焊盘覆盖的所述第二表面的面积加上由所述虚设图案覆盖的所述第二表面的面积；

在所述第二接触焊盘和所述虚设图案上方形成第二绝缘层；

将所述衬底设置在载体上，其中所述衬底的第二表面朝着所述载体定向；

将半导体管芯设置在衬底的覆盖区之外的载体上；

在所述半导体管芯和衬底上方沉积密封剂；以及

在所述密封剂和所述衬底的第二表面上方形成内建互连结构，其中所述第二绝缘层完全覆盖在所述内建互连结构下方的虚设图案。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述衬底的侧壁中形成第一缺口；

提供第二衬底；

在所述第二衬底的侧壁中形成第二缺口；

将所述衬底和所述第二衬底设置在所述载体上，其中所述第一缺口和第二缺口相互对齐；以及

沉积所述密封剂延伸到所述第一缺口和所述第二缺口中。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括形成穿过所述衬底的开口。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述衬底的所述第一表面上方形成第一绝缘层；

在所述第一接触焊盘上方的第一绝缘层中形成多个第一开口；

在所述第二接触焊盘上方的第二绝缘层中形成多个第二开口；以及

在所述第二绝缘层中形成多个虚设开口，其中所述衬底的第二表面在所述虚设开口中暴露，其中所述虚设开口和第二开口组合的面积近似等于所述第一开口的面积。

5.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在衬底的第一表面上方形成多个第一接触焊盘；

在衬底的第二表面上方形成多个第二接触焊盘；

在所述衬底的第二表面上方形成虚设图案，其中通过第一接触焊盘的表面面积和第二接触焊盘的表面面积之间的差异确定虚设图案的表面面积；

在所述第二接触焊盘和所述虚设图案上方形成第二绝缘层；以及

在所述衬底的第二表面上方形成内建互连结构，其中所述第二绝缘层完全覆盖在所述内建互连结构下方的虚设图案。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括在所述衬底的侧壁中形成缺口。

7.如权利要求5所述的方法，进一步包括形成穿过所述衬底的开口。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括在所述衬底的所述开口中沉积密封剂。

9.如权利要求5所述的方法，进一步包括：

在所述衬底的所述第一表面上方形成第一绝缘层；以及

在所述第二绝缘层中形成虚设开口以平衡所述第二绝缘层和第一绝缘层。

10.如权利要求5所述的方法，其中所述衬底的所述第一表面包括比所述衬底的所述第二表面的宽度大的宽度。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底的第一表面上方形成的、包括多个第一接触焊盘的第一导电层；

在所述衬底的第二表面上方形成的多个第二接触焊盘；

在所述衬底的第二表面上方形成的虚设图案，其中通过第一接触焊盘的表面面积和第二接触焊盘的表面面积之间的差异确定虚设图案的表面面积；

在所述第二接触焊盘和所述虚设图案上方形成的第二绝缘层；以及

在所述衬底的第二表面上方形成的内建互连结构，其中所述第二绝缘层完全覆盖在所述内建互连结构下方的虚设图案。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述衬底包括开口。