[发明专利]图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810952046.1 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109273480B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 武海亮;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
形成有光电二极管的半导体基板，所述半导体基板包含不同的像素区域，所述像素区域包括白色像素区域以及红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一个；
位于所述半导体基板上的绝缘结构；
位于所述绝缘结构上部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；
位于绝缘结构上对应不同像素的滤色层，所述滤色层包括白色滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；
位于所述白色滤色层上方并部分遮挡所述白色滤色层的有机光电二极管；
位于滤色层上方的微透镜。
2.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述遮光膜为具有遮光效果的金属材料。
3.如权利要求2所述图像传感器，其特征在于，所述遮光膜材料为钨、铝或铜。
4.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述绝缘结构为多层介质层形成的堆栈结构。
5.如权利要求4所述图像传感器，其特征在于，所述的绝缘结构包含高介电常数材料层，抗反射层以及粘附介质层中的一种以上。
6.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供形成有光电二极管的半导体基板，所述半导体基板包含不同的像素区域，所述像素区域包括白色像素区域以及红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一个；
在所述半导体基板上形成绝缘结构；
在所述绝缘结构上形成部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；
在绝缘结构上形成对应不同像素的滤色层，所述滤色层包括白色滤色层，所述绝缘结构隔离所述不同像素的滤色层；
在所述白色滤色层上方形成部分遮挡所述白色滤色层的有机光电二极管；
在各像素区域对应位置的滤色层上方形成微透镜。
7.如权利要求6所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述遮光膜为具有遮光效果的金属材料。
8.如权利要求7所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述遮光膜材料为钨、铝或铜。
9.如权利要求6所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述绝缘结构为多层介质层形成的堆栈结构。
10.如权利要求9所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的绝缘结构包含高介电常数材料层，抗反射层以及粘附介质层中的一种以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
