[发明专利]一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810952687.7 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109103239B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;仝宜波;李涛;朱顺威;胡梅;赵玥阳;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安中科汇知识产权代理有限公司 61254 | 代理人： | 韩冰 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 局部 掺杂 sic 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧表面设有源极帽层(4)和漏极帽层(5)，源极帽层(4)和漏极帽层(5)表面设有源电极(6)，漏极帽层(5)表面设有漏电极(7)，其特征在于：所述N型沟道层(3)沟道顶部且靠近源极帽层(4)的一侧设有栅电极(8)，在N型沟道层(3)顶部且位于栅电极(8)下方设有与栅电极(8)中心对称的低掺杂层(9)，栅电极(8)的下表面与低掺杂层(9)上表面紧密接触。
2.根据权利要求1所述的具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其特征在于：所述低掺杂层(9)以源侧栅电极为起点，长度为0.7μm。
3.根据权利要求1所述的具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其特征在于：所述低掺杂层(9)的深度为0.08-0.13μm。
4.根据权利要求1所述的具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其特征在于：低掺杂层(9)的掺杂浓度为1×1015-3×1015cm-3。
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