[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种电子设备，其包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：

可变电阻元件，其包括磁隧道结MTJ结构，所述磁隧道结MTJ结构包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的被钉扎层以及介于所述自由层与所述被钉扎层之间的隧道阻挡层；

第一保护层，其设置在所述可变电阻元件的下侧壁上；

第二保护层，其设置在所述可变电阻元件的上侧壁上，

其中，所述第一保护层和所述第二保护层中的任意一个层向所述可变电阻元件施加压缩应力，而另一个层向所述可变电阻元件施加拉伸应力。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一保护层向所述可变电阻元件的至少一部分施加压缩应力。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述第一保护层向所述自由层施加压缩应力。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二保护层向所述可变电阻元件的至少一部分施加拉伸应力。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，所述第二保护层向所述被钉扎层施加拉伸应力。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一保护层和所述第二保护层中的每个层包括能够向所述可变电阻元件的至少一部分施加压缩应力或拉伸应力中的任意一种应力的材料。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述第一保护层和所述第二保护层中的每个层包括包含氧化物、氮化物、氢或其组合的钝化层。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述可变电阻元件具有基本上垂直的轮廓。

9.一种电子设备，其包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：

第一磁性层，其设置在衬底之上；

隧道阻挡层，其设置在所述第一磁性层之上；

第一覆盖层，其设置在所述隧道阻挡层之上；

第二磁性层，其设置在所述第一覆盖层之上；

钉扎层，其设置在所述第二磁性层之上；

第一保护层，其设置在所述第一磁性层的侧壁、所述隧道阻挡层的侧壁和所述第一覆盖层的侧壁上；以及

第二保护层，其设置在所述第二磁性层的侧壁和所述钉扎层的侧壁上，

其中，所述第一保护层包括向所述第一磁性层提供压缩应力的材料，而所述第二保护层包括向所述第二磁性层提供拉伸应力的材料。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述第一保护层和所述第二保护层中的每个层包括包含氧化物、氮化物、氢或其组合的钝化层。

11.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述第二保护层向所述钉扎层施加拉伸应力。

12.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述第一磁性层、所述隧道阻挡层、所述第一覆盖层、所述第二磁性层以及所述钉扎层具有彼此对齐的侧壁。

13.根据权利要求1所述的电子设备，其还包括微处理器，该微处理器包括：

控制单元，其被配置为从所述微处理器的外部接收包括命令的信号，并且执行所述命令的提取、解码或对所述微处理器的信号的输入或输出的控制，

运算单元，其被配置为基于所述控制单元对所述命令解码的结果来执行运算；以及

存储单元，其被配置为储存用于执行所述运算的数据、与执行所述运算的结果相对应的数据或执行的所述运算所针对的数据的地址，

其中，所述半导体存储器是所述微处理器中的所述存储单元的一部分。