[发明专利]半导体元件制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体元件制造方法，其包含在基板上的第一区域形成第一图案层，在第一图案层与基板上形成旋涂材料层，在旋涂材料层上形成蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上形成第一遮罩层。在不同段的蚀刻程序中进行蚀刻时，蚀刻停止层可以调整遮罩图案层的侧边，提升了半导体元件上图案的精细度以及蚀刻轮廓的品质。

技术领域

本发明有关于一种半导体元件制造方法。

背景技术

为了实现半导体元件的功能，需要针对半导体元件中各个层结构进行图案化。图案化一般而言会使用光微影、蚀刻的方式进行。其中在使用蚀刻剂进行蚀刻时，需要选用恰当的蚀刻剂、调整蚀刻剂的浓度，并调整蚀刻的时间才能够产生良好的蚀刻轮廓，及精细的图案。

但在一些产品中，比如说两个层结构的物理化学较为相近时，单纯调整蚀刻剂仍难以改善蚀刻轮廓以及图案精细度。因此如何进一步的改善蚀刻轮廓以及图案精细度，为本领域重要的问题之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可提升半导体元件上图案的精细度以及蚀刻轮廓品质的半导体元件制造方法。

本发明提出一种半导体元件制造方法，其包含：在基板上的第一区域形成第一图案层；在第一图案层与基板上形成旋涂材料层；在旋涂材料层上形成蚀刻停止层；以及在蚀刻停止层上形成第一遮罩层。

在一些实施方式中，半导体元件制造方法进一步包含：在第一遮罩层上形成第二遮罩层；在第二遮罩层上形成光阻层；图案化光阻层以形成光阻图案层；使用光阻图案层蚀刻第一遮罩层以及第二遮罩层，使第一遮罩层以及第二遮罩层共同形成遮罩图案层；以及使用遮罩图案层蚀刻蚀刻停止层、旋涂材料层以及第一图案层。

在一些实施方式中，第二遮罩层由包含氮氧化硅、氮化硅、硅或氧化硅的材料制作。

在一些实施方式中，半导体元件制造方法进一步包含：在基板上的第二区域形成第二图案层；以及在第二图案层上形成旋涂材料层。

在一些实施方式中，在第二图案层上形成旋涂材料层还包含在第一图案层上方的旋涂材料层以及第二图案层上方的旋涂材料层之间形成一段差。

在一些实施方式中，第一图案层由包含介电质或金属的材料制作。

在一些实施方式中，旋涂材料层由包含有机聚合物的材料制作。

在一些实施方式中，蚀刻停止层由包含氧化硅、氮氧化硅或硅的材料制作。

在一些实施方式中，第一遮罩层由包含碳的材料制作。

蚀刻停止层的硬度高于第一图案层以及旋涂材料层的硬度。

综上所述，本发明提出的半导体元件制造方法，通过使用蚀刻停止层，使得旋涂材料层以及第一遮罩层可以在不同段的蚀刻程序中被蚀刻。在不同段的蚀刻程序中进行蚀刻时，蚀刻停止层还可以调整遮罩图案层的侧边，提升了半导体元件上图案的精细度以及蚀刻轮廓的品质。

附图说明

图1绘示依据本发明一实施方式的半导体元件制造方法的流程图。

图2A至图7A绘示半导体元件制造法中各个阶段的俯视图。

图2B至图7B绘示图2A至图7A中沿着线段B-B的剖面图。

具体实施方式

以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示的。并且，除非有其他表示，在不同附图中相同的元件符号可视为相对应的元件。这些附图的绘示是为了清楚表达这些实施方式中各元件之间的连接关系，并非绘示各元件的实际尺寸。