[发明专利]显示背板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810954488.X | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN109148482B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;王庆贺;赵策;周斌;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L23/367;H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 背板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示背板,其特征在于,包括:基底、设置在所述基底上的透明热传导层以及设置在所述热传导层上的阵列结构层;所述阵列结构层包括遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述遮光层设置在所述透明热传导层与第一薄膜晶体管之间,所述透明热传导层与第二薄膜晶体管之间没有遮光层;所述透明热传导层包括透明导电层、透明半导体层和第一缓冲层,所述透明导电层和透明半导体层的厚度为所述透明导电层用于在后续制备阵列结构层和发光结构层的高温工艺过程中保持均匀的温度,向所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管施加均衡的热效应;所述透明半导体层用于在显示装置工作时,吸收或滤除环境光中能量高的离子,增加光照稳定性,消除光照对所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管电学特性的影响;所述第一缓冲层用于减小向所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管施加的热应力。
2.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述透明导电层的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌,所述透明半导体层的材料包括金属氧化物或硅材料,所述金属氧化物包括氧化铟镓锌或氧化铟锡锌。
3.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述阵列结构层包括:
形成在所述透明热传导层上的遮光层;
覆盖所述遮光层的第二缓冲层;形成在所述第二缓冲层上的第一有源层和第二有源层,所述第一有源层的位置与遮光层的位置相对应;
形成在所述第一有源层上的第一栅绝缘层和第一栅电极,形成在所述第二有源层上的第二栅绝缘层和第二栅电极;
覆盖所述第一栅电极和第二栅电极的层间绝缘层;
形成在所述层间绝缘层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极,所述第一源电极和第一漏电极分别通过层间绝缘层上开设的过孔与第一有源层连接,所述第二源电极和第二漏电极分别通过层间绝缘层上开设的过孔与第二有源层连接;
覆盖所述第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的钝化层。
4.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~3任一所述的显示背板。
5.一种显示背板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成透明热传导层,包括:在基底上形成透明导电层、透明半导体层和第一缓冲层,所述透明导电层和透明半导体层的厚度为
在所述透明热传导层上形成阵列结构层,所述阵列结构层包括遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述遮光层形成在所述透明热传导层与第一薄膜晶体管之间,所述透明热传导层与第二薄膜晶体管之间没有遮光层;所述透明导电层用于在后续制备阵列结构层和发光结构层的高温工艺过程中保持均匀的温度,向第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管施加均衡的热效应;所述透明半导体层用于在显示装置工作时,吸收或滤除环境光中能量高的离子,增加光照稳定性,消除光照对所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管电学特性的影响;所述第一缓冲层用于减小向所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管施加的热应力。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述透明导电层的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌,所述透明半导体层的材料包括金属氧化物或硅材料,所述金属氧化物包括氧化铟镓锌或氧化铟锡锌。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述透明热传导层上形成阵列结构层,包括:
在基底上形成透明热传导层时,形成所述遮光层;
依次沉积第二缓冲层和有源层薄膜,通过构图工艺在所述第二缓冲层上形成第一有源层和第二有源层,所述第一有源层的位置与遮光层的位置相对应;
依次沉积栅绝缘薄膜和栅金属薄膜,通过构图工艺在所述第一有源层上形成第一栅绝缘层和第一栅电极,在所述第二有源层上形成第二栅绝缘层和第二栅电极;
对第一有源层未被第一栅电极遮挡的区域进行离子掺杂,对第二有源层未被第二栅电极遮挡的区域进行离子掺杂,形成第一有源层和第二有源层的掺杂区;
沉积层间绝缘薄膜,通过构图工艺形成过孔,所述过孔分别位于所述第一有源层的掺杂区和第二有源层的掺杂区;
沉积源漏金属薄膜,通过构图工艺形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极,所述第一源电极和第一漏电极分别通过所述过孔与第一有源层的掺杂区连接,所述第二源电极和第二漏电极分别通过所述过孔与第二有源层的掺杂区连接;
形成覆盖所述第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的