[发明专利]晶圆缺陷检测系统及方法在审

专利信息
申请号: 201810954898.4 申请日: 2018-08-21
公开(公告)号: CN110849899A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 陈鲁;黄有为;崔高增;王天民 申请(专利权)人: 深圳中科飞测科技有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 杨胜军
地址: 510380 广东省深圳市光明新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 缺陷 检测 系统 方法
【说明书】:

发明公开了一种晶圆缺陷检测系统及方法。检测系统包括:检测组件,其被配置为基于检测光束来生成检测光斑,检测光斑包括探测区域,探测区域为线形;信号收集组件,其被配置为收集检测光斑经被测物散射后形成的信号光,进而生成与检测光斑相对应的检测信息;以及处理器组件,其被配置为基于探测区域获取的检测信息来确定被测物上的缺陷特征信息。通过采用本发明的技术方案,节约了晶圆的移动时间,能明显增加检测速度和精度。

技术领域

本发明属于晶圆检测领域,尤其涉及一种涉及晶圆缺陷检测的系统及方法。

背景技术

晶圆缺陷检测是指检测晶圆中是否存在凹槽、颗粒、划痕等缺陷以及缺陷位置。晶圆缺陷检测应用十分广泛:一方面,作为芯片基底,晶圆上存在缺陷将可能导致上面制作的昂贵工艺失效,晶圆生产方常进行缺陷检测确保产品合格率,晶圆使用方也需要在使用前确定晶圆的干净程度能保证产品合格率;另一方面,由于半导体加工对加工过程中附加污染控制十分严格,而直接监测加工过程中附加污染难度较大,人们常通过晶圆裸片加工前后缺陷对比来判断该工艺附加污染程度。因此,人们进行了各种晶圆缺陷检测手段的探索。

目前常用晶圆缺陷检测方法的主要包括电子束检测和光学检测两大类。得益于电子波的极端波长,电子束检测能直接成像且分辨率可达到1至2纳米,然而它检测所需的时间较长且检测需要高真空环境,通常用来对少数关键电路环节抽样检查。光学检测是利用光与芯片相互作用实现检测的方法的总称,其基本原理是通过扫描检测入射光与缺陷散射光是否存在及其强度,判断缺陷有无及大小。

发明内容

本发明针对当前的光学测量方法存在耗时长、精度低的缺陷,提出一种能够实现对晶圆进行多入射角检测的系统与方法。

首先,本发明提出了一种检测系统,其包括:检测组件,其被配置为基于检测光束来生成检测光斑;信号收集组件,其被配置为线形地收集被测物在所述检测光斑的作用下形成的信号光,进而生成与所述检测光斑相对应的检测信息;以及处理器组件,其被配置为基于所述检测信息来确定所述被测物上的缺陷特征信息。

本发明还提出了一种检测方法,其包括:基于检测光束,生成检测光斑,所述检测光斑包括探测区域,所述探测区域为线形;收集所述检测光斑经被测物的散射形成的信号光,进而生成与所述检测光斑相对应的检测信息;基于所述探测区形成的检测信息,确定所述被测物的缺陷特征信息。

通过采用本发明的技术方案,可以提升每次扫描的区域面积,节约了晶圆的移动时间,能明显增加检测速度。另外,还可以同时对待测物进行明暗场检测,提升了效率。通过使用本发明的技术方案,可以使用同一波长的光源来对不同颗粒进行检测。

附图说明

参考附图示出并阐明实施例。这些附图用于阐明基本原理,从而仅仅示出了对于理解基本原理必要的方面。这些附图不是按比例的。在附图中,相同的附图标记表示相似的特征。

图1为依据本发明实施例的检测系统架构图;

图2a为依据本发明实施例的检测系统的光学架构图;

图2b为依据本发明实施例的类成像式收集原理示意图;

图3为依据本发明实施例的扫描轨迹示意图;

图4为依据本发明另一实施例的检测系统架构图。

具体实施方式

在以下优选的实施例的具体描述中,将参考构成本发明一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本发明的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解,在不偏离本发明的范围的前提下,可以利用其他实施例,也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此,以下的具体描述并非限制性的,且本发明的范围由所附的权利要求所限定。

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