[发明专利]陶瓷覆铜板及其制备工艺和应用

权利要求书

1.一种陶瓷覆铜板的制备工艺，该工艺包括：

S1、在陶瓷垫板表面形成铜层，然后对所述铜层的表面进行第一热氧化处理，得到氧化垫板；

S2、将铜片放置于氧化垫板的经过第一热氧化处理后的铜层上，将氧化垫板与铜片一起进行第二热氧化处理，然后分离二者，得到氧化铜片；所述氧化铜片与氧化垫板分离的表面为第一表面，与第一表面相对的所述氧化铜片的表面为第二表面；

S3、将第二表面与陶瓷基片贴合，然后进行覆接处理，得到陶瓷覆铜板。

2.根据权利要求1所述的工艺，步骤S1中，所述陶瓷垫板的厚度为0.3-2mm，材料为氧化铝或氮化铝。

3.根据权利要求1所述的工艺，步骤S1中，所述在陶瓷垫板表面形成铜层的方式为磁控溅射或离子镀，所述铜层的厚度为0.5-50μm。

4.根据权利要求1所述的工艺，步骤S1中，所述第一热氧化处理的条件包括：在流动气氛中进行，流动气氛中氧分压为100-1000ppm，热氧化处理的温度为400-1000℃，时间为10-300min。

5.根据权利要求1所述的工艺，步骤S2中，所述第二热氧化处理的条件包括：在流动气氛中进行，流动气氛中氧分压为100-1000ppm，热氧化处理的温度为400-1000℃，时间为10-300min。

6.根据权利要求1所述的工艺，所述工艺还包括：将步骤S2中与氧化铜片分离后的氧化垫板返回步骤S2中重复使用。

7.根据权利要求1所述的工艺，步骤S3中，所述覆接处理的条件包括：氧分压为0-100ppm，温度为1065-1083℃，时间为10-180min；

所述陶瓷基片的厚度为0.3-2mm，材料为氧化铝或氮化铝。

8.权利要求1-7中任意一项所述的工艺所制备的陶瓷覆铜板。

9.一种陶瓷覆铜板的应用，该应用包括：采用权利要求8所述的陶瓷覆铜板制备电力电子模块、半导体致冷器、大功率LED散热基板、太阳能电池组件、汽车电子、航天航空电子组件和军用电子组件。