[发明专利]含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料在审
| 申请号： | 201810956581.4 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109097734A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 包山虎;张启轩;金平实;李荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氢化钇 含氧 多层薄膜材料 光热 变色 保护层 调光层 功能层 氧化钨 基板 缺氧 | ||
1.一种含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料，其特征在于，包括依次形成在基板上的含氧氢化钇调光层、缺氧态氧化钨功能层和保护层。
2.根据权利要求1所述的含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料，其特征在于，所述含氧氢化钇调光层的组成为YHxOy，1＜x＜4，1＜y＜10。
3.根据权利要求1或2所述的含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料，其特征在于，所述缺氧态氧化钨功能层的组成为WO3-a，0＜a＜2，优选为0.1＜a＜0.35，更优选为a =0.15。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料，其特征在于，所述含氧氢化钇调光层的厚度为50 nm～1000 nm，优选为350nm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料，其特征在于，所述缺氧态氧化钨功能层的厚度为50 nm～500 nm，优选为120nm。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料，其特征在于，所述保护层的组成为MOz，0＜z＜4，其中M为Y、Al、Zn、Si中的至少一种；优选地，所述保护层中还掺杂有N元素，其化学式为MbNcOd、0＜b≤1，0＜c≤1，0＜d≤1；更优选地，所述保护层的厚度为1 nm～400 nm，优选为1 nm～150 nm，更优选为40nm。
7.一种如权利要求1-6中任一项所述的含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料的制备方法，其特征在于，采用直流磁控溅射技术或交流磁控溅射技术依次在基板表面制备含氧氢化钇调光层、缺氧态氧化钨功能层和保护层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述含氧氢化钇调光层的靶材为金属钇或氢化钇，所述缺氧态氧化钨功能层的靶材为氧化钨或金属钨，所述保护层的靶材为单质M或M的氧化物。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述基板为硅片、玻璃、透明高分子薄膜或透明陶瓷薄膜。
10.一种如权利要求1-6中任一项所述的含氧氢化钇光热致变色多层薄膜材料在建筑节能领域、航空航天领域、汽车领域、光学器件领域和电子器件领域中的应用。
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