[发明专利]太阳能电池组件及电极引出方法在审
申请号: | 201810956969.4 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN109037368A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 张玉军 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H02S40/34 |
代理公司: | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 100176 北京市北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 电极 太阳能电池组件 第一表面 玻璃基板 第二表面 引出槽 引出电极 导电胶 电极层 太阳能电池技术 产品良率 相对设置 有效面积 侧面 电连接 光转换 减小 填充 背离 承载 贯穿 保证 | ||
本发明实施例涉及太阳能电池技术领域,公开了一种太阳能电池组件。本发明中,太阳能电池组件包括:玻璃基板、以及设置于玻璃基板上的太阳能电池,太阳能电池包括电极层,电极层上形成有太阳能电池的引出电极,玻璃基板包括承载所述太阳能电池的第一表面、与第一表面相对设置且背离太阳能电池的第二表面,以及连接第一表面和第二表面的侧面,侧面上设有电极引出槽,电极引出槽贯穿第一表面和第二表面,电极引出槽内填充有导电胶,导电胶与引出电极电连接。本发明还提供了一种太阳能电池组件的电极引出方法,本发明提供的太阳能电池组件及电极引出方法能够提高太阳能电池的产品良率及可靠性的同时,不减小太阳能电池的有效面积,保证其光转换效率。
技术领域
本发明实施例涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种太阳能电池组件及太阳能电池电极引出方法。
背景技术
当今全球光伏市场是以晶体硅太阳能电池为主,但高能耗的生产工艺导致能源资源的快速消耗将使社会无法承受,也必将制约着光伏产业更大规模的发展。因此,发展低成本、新型薄膜太阳能电池是未来国际光伏产业的必然趋势。CIGS(CuInxGa(1-x)Se2的简称)薄膜太阳能电池,由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池,是在玻璃或其它廉价衬底上沉积6层以上化合物半导体和金属薄膜料,薄膜总厚度约3~4微米。该电池成本低、性能稳定、抗辐射能力强,其光电转换效率目前是各种薄膜太阳能电池之首,光谱响应范围宽,在阴雨天光强下输出功率高于其它任何种类太阳能电池,被国际上称为下一时代最有前途的廉价太阳能电池之一。现有技术中的薄膜太阳能电池引出的做法是用钻孔设备在GIGS玻璃的中心区域上钻两个孔,直径为4~5mm。孔打完后用于将电极从玻璃一面引到另外一面。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:玻璃打孔会瞬时积聚很大的热量,若将打孔位置设置在玻璃的中心区域,容易造成玻璃破裂,进而减小了产品良率;在玻璃的中心区域打孔会使孔的边缘产生一些微小的裂纹,导致后期使用过程中有破裂的风险,进而降低了太阳能电池的可靠性;玻璃打孔的位置与玻璃边缘的距离需要为玻璃厚度的至少两倍,且直径不小于玻璃厚度,使得电池的有效面积减小,进而导致光转换效率变低。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种太阳能电池组件及电极引出方法,使其能够提高太阳能电池的产品良率及可靠性的同时,不减小太阳能电池的有效面积,保证太阳能电池的光转换效率。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种太阳能电池组件,包括:玻璃基板、以及设置于所述玻璃基板上的太阳能电池,所述太阳能电池包括电极层,所述电极层上形成有所述太阳能电池的引出电极,其特征在于,所述玻璃基板包括承载所述太阳能电池的第一表面、与所述第一表面相对设置且背离所述太阳能电池的第二表面,以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面,所述侧面上设有电极引出槽,所述电极引出槽贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述电极引出槽内填充有导电胶,所述导电胶与所述引出电极电连接。
本发明的实施方式还提供了一种太阳能电池组件的电极引出方法,包括以下步骤:在太阳能电池的玻璃基板外周缘上划刻贯穿玻璃基板的电极引出槽,其中所述玻璃基板包括承载所述太阳能电池的第一表面、与所述第一表面相对设置且背离所述太阳能电池的第二表面,所述太阳能电池包括电极层,所述电极层上形成有所述太阳能电池的引出电极;在所述电极引出槽内注入导电胶,在所述玻璃基板的第一表面上制作连接所述导电胶和所述引出电极的第二导电部;在所述玻璃基板的第二表面制作连接所述导电胶和接线盒的第一导电部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的