[发明专利]增强近红外量子效率的钳位型光电二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种增强近红外量子效率的钳位型光电二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在P型外延层(2)围绕有源区边缘制备浅槽隔离区(7)；

步骤2，向P型外延层(2)中分四次注入P型材料形成P阱隔离区(3)；

步骤3，第一次退火处理；

步骤4，在P型外延层(2)的上表面形成多晶硅栅，并对多晶硅栅进行刻蚀，得到传输栅(5)；

步骤5，在P型外延层(2)中分两次注入N型材料形成N型掺杂区(8)；

步骤6，在传输栅侧壁制备侧墙(9)；

步骤7，在N型掺杂区(8)中制备钳位层(6)；

步骤8，在P阱隔离区(3)上部注入N型材料形成悬浮扩散节点(4)；

步骤9，第二次退火处理；

在P型外延层(2)中分两次注入N型材料形成N型掺杂区(8)时，每次注入N型材料的能量相同，每次注入N型材料的剂量减小，每次注入N型材料的倾斜度减小。

2.根据权利要求1所述的增强近红外量子效率的钳位型光电二极管的制备方法，其特征在于，所述向P型外延层(2)中分四次注入P型材料形成P阱隔离区(3)时，每次注入P型材料的能量依次增大，每次注入P型材料的倾斜度相同。

3.根据权利要求1或2所述的增强近红外量子效率的钳位型光电二极管的制备方法，其特征在于，所述P型外延层(2)中分四次注入P型材料形成P阱隔离区(3)，包括：

第一次：注入P型材料能量为13keV～16keV，注入P型材料的剂量为1×10¹¹cm^-2～3×10¹²cm^-2，注入P型材料时的倾斜度为0°～2°；

第二次：注入P型材料能量为28keV～35keV，注入P型材料的剂量为2×10¹¹cm^-2～4×10¹²cm^-2，注入P型材料时的倾斜度为0°～2°；

第三次：注入P型材料能量为85keV～100keV，注入P型材料的剂量为1×10¹¹cm^-2～3×10¹²cm^-2，注入P型材料时的倾斜度为0°～2°；

第四次：注入P型材料能量为280keV～315keV，注入P型材料的剂量为3×10¹²cm^-2～4×10¹³cm^-2，注入P型材料时的倾斜度为0°～2°。

4.根据权利要求1所述的增强近红外量子效率的钳位型光电二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤3中第一次退火处理，退火温度为1050℃～1200℃，时间为18s～24s。

5.根据权利要求1所述的增强近红外量子效率的钳位型光电二极管的制备方法，其特征在于，所述在P型外延层(2)中分两次注入N型材料形成N型掺杂区(8)，包括：

第一次注入N型材料的能量为190keV～250keV，注入N型材料的剂量为1×10¹²cm^-2～3.5×10¹³cm^-2,倾斜度为3°～7°；第二次注入N型材料的能量为190keV～250keV，注入N型材料的剂量为1×10¹¹cm^-2～9×10¹²cm^-2,倾斜度为0°～2°。

6.根据权利要求1所述的增强近红外量子效率的钳位型光电二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤8中第二次退火处理，退火温度为950℃～1050℃，时间为8s～14s。