[发明专利]蚀刻方法和蚀刻处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，向处理容器内供给气体、第一频率的高频电力、比该第一频率低的第二频率的高频电力，来对形成于浮动电位的电极层的上层的含硅膜进行蚀刻，所述蚀刻方法包括以下工序：

当蚀刻所述含硅膜而得到的图案的底部距所述电极层的距离为规定的距离以下时，供给连续波形的所述第一频率的高频电力和占空比为20％以下的脉冲波形的所述第二频率的高频电力，来对所述含硅膜进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，包括以下工序：

在蚀刻所述含硅膜而得到的图案的底部距所述电极层的距离大于规定的距离的期间，供给连续波形的所述第一频率的高频电力以及连续波形或占空比为50％以上的脉冲波形的所述第二频率的高频电力，来对所述含硅膜进行蚀刻。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

当蚀刻所述含硅膜而得到的图案的底部距所述电极层的距离为规定的距离以下时，供给连续波形的所述第一频率的高频电力和占空比为5％以上且20％以下的脉冲波形的所述第二频率的高频电力。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述第二频率的高频电力的脉冲频率为0.1kHz以上且50kHz以下。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述蚀刻方法中，对作为所述含硅膜的氧化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜、含碳氧化硅膜、含碳氮化硅膜、含碳氧化硅膜与含碳氮化硅膜的层叠膜中的任一种膜进行蚀刻。

6.一种蚀刻处理装置，具有向处理容器内供给气体的气体供给部、供给第一频率的高频电力和比该第一频率低的第二频率的高频电力的电力供给部、以及控制部，所述蚀刻处理装置对形成于与成为接地电位的导电层相向的浮动电位的电极层的上层的含硅膜进行蚀刻，

其中，当蚀刻所述含硅膜而得到的图案的底部距所述电极层的距离为规定的距离以下时，所述控制部供给连续波形的所述第一频率的高频电力和占空比为20％以下的脉冲波形的所述第二频率的高频电力，来控制对所述含硅膜的蚀刻。