[发明专利]包括掺杂碳的氮化硅的半导体装置结构和相关方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

阶梯结构，其包括交替的电介质层级和导电层级的分层；

掺杂碳的氮化硅，其在所述阶梯结构的所述分层上方，所述掺杂碳的氮化硅排除包括一化学计量的碳的碳氮化硅；以及

与所述分层的所述导电层级电接触并延伸穿过所述电介质层级并进入所述分层的所述导电层级的接触件，其中所述接触件的底部表面在所述分层的所述导电层级内：

每个接触件从相应接触件的顶部表面到所述相应接触件的底部表面呈现出实质上相同的宽度；和

所述阶梯结构的所述导电层级实质上全部与相应接触件电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掺杂碳的氮化硅与每一分层的所述电介质层级直接接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掺杂碳的氮化硅与每一分层的所述电介质层级的水平表面直接接触且与每一分层的所述电介质层级和所述导电层级的垂直表面直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掺杂碳的氮化硅包括氮化硅以及从1重量％的碳到15重量％的碳。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掺杂碳的氮化硅包括氮化硅以及从5重量％的碳到15重量％的碳。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掺杂碳的氮化硅包括氮化硅以及从8重量％的碳到12重量％的碳。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掺杂碳的氮化硅包括氮化硅以及约10重量％的碳。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掺杂碳的氮化硅具有在与之间的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掺杂碳的氮化硅具有均匀厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接触件中的至少一者具有不同于所述接触件中的另一者的高度的高度。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接触件的每一接触件经电连接到所述分层的不同导电层级。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括延伸穿过所述电介质层级和所述导电层级的所述分层的至少部分的沟道材料。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其进一步包括沿着所述沟道材料的长度的存储器胞元。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中每一接触件包括与另一接触件的高度不同的高度。

15.一种形成半导体装置的方法，其包括：

在包括交替的电介质层级和导电层级的分层的阶梯结构中形成梯级；

在所述梯级上方形成掺杂碳的氮化硅，所述掺杂碳的氮化硅排除包括一化学计量的碳的碳氮化硅；

在所述掺杂碳的氮化硅上方形成氧化物材料；

在所述氧化物材料中形成开口，所述开口延伸到所述掺杂碳的氮化硅；

移除所述掺杂碳的氮化硅的部分以将所述开口延伸到所述阶梯结构的所述导电层级中；及

形成与所述分层的所述导电层级电接触并延伸穿过所述电介质层级并进入所述分层的所述导电层级的接触件，其中所述接触件的底部表面在所述分层的所述导电层级内，每个接触件从相应接触件的顶部表面到所述相应接触件的底部表面呈现出实质上相同的宽度，并且所述阶梯结构的所述导电层级实质上全部与相应接触件电接触。

16.根据权利要求15所述的方法，其中在所述梯级上方形成掺杂碳的氮化硅包括在所述梯级上方形成包括从5重量％的碳到15重量％的碳的氮化硅。