[发明专利]一种阵列面板

说明书

一种阵列面板，至少包括：设置于间绝缘层表面的第一过孔；设置于平坦化层表面的第二过孔；设置于钝化层表面的第三过孔；像素电极层；遮光层；其中，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠或所述第一过孔上连通有源层的两端组成的连线平行于所述栅极信号线的排列方向。有益效果：本发明所提供的阵列面板，将间绝缘层上设置的过孔与钝化层上设置的过孔部分重叠或间绝缘层上设置的过孔连通有源层的两端组成的连线平行于栅极信号线的排列方向，减少了位于像素中间岛状桥接区域的源漏极金属层占用的像素面积，提高了像素结构的开口率，更进一步提高了像素结构的显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列面板。

背景技术

目前低温多晶硅技术已广泛应用于手机、电脑显示屏等中小尺寸面板，且随着市场对面板分辨率要求的逐步提升，使得各像素尺寸逐渐变小。尺寸较小的像素，由于开口率的降低，会极大的影响面板穿透率。此外，在像素尺寸相同的情况下，穿透率较高的面板也有助于降低面板能耗，提高产品的续航能力。

综上所述，现有的阵列面板，由于位于像素中间岛状桥接区域的部分源漏极金属层占用一定的像素面积，造成像素的开口率下降，进一步限制了光利用率，更进一步造成显示亮度不足。

发明内容

本发明提供一种阵列面板，能够减少位于像素中间岛状桥接区域的部分源漏极金属层占用的像素面积，以解决现有的高开口率的像素结构，由于位于像素中间岛状桥接区域的部分源漏极金属层占用一定的像素面积，造成像素的开口率下降，进一步限制了光利用率，更进一步造成显示亮度不足的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列面板，包括基板、设置于所述基板上的有源层、设置于所述基板的表面并覆盖所述有源层的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层的间绝缘层、设置所述间绝缘层的第一过孔、设置于所述间绝缘层上的源漏极金属层、设置于所述源漏极金属层上的平坦化层、设置于所述平坦化层上的第二过孔、设置于所述平坦化层上的钝化层、设置于所述钝化层上的第三过孔、设置于所述钝化层上的像素电极层、设置于所述基板上的栅极信号线、设置于所述基板上的源极信号线以及沿所述栅极信号线的排列方向设置的遮光层；

其中，所述源漏极金属层通过所述第一过孔与所述有源层连通；所述像素电极层通过所述第二过孔以及所述第三过孔与所述源漏极金属层连通；所述源极信号线通过所述第一过孔与所述有源层连通；所述遮光层完全覆盖所述栅极信号线、所述源漏极金属层以及部分所述像素电极层；所述第三过孔与所述第二过孔连通，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠或所述第一过孔上连通所述有源层的两端组成的连线平行于所述栅极信号线的排列方向。

根据本发明一优选实施例，所述第三过孔的深度大于所述第一过孔的深度。

根据本发明一优选实施例，所述第一过孔、所述第二过孔以及所述第三过孔的横截面为倒梯形。

根据本发明一优选实施例，所述第一过孔贯穿所述间绝缘层以及所述栅极绝缘层并止于所述有源层。

根据本发明一优选实施例，所述第二过孔贯穿所述平坦化层并止于所述源漏极金属层。

根据本发明一优选实施例，所述第三过孔贯穿所述钝化层并止于所述源漏极金属层。

根据本发明一优选实施例，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠时，所述源漏极金属层的长度小于所述第三过孔与所述第一过孔未重叠时的长度。

根据本发明一优选实施例，所述第一过孔上连通的所述有源层的两端组成的连线平行于所述栅极信号线的排列方向时，所述源漏极金属层为长边平行于所述栅极信号线的矩形。

根据本发明一优选实施例，所述源漏极金属层与所述栅极信号线部分重叠。

根据本发明一优选实施例，所述第三过孔的一部分位于所述源漏极金属层与所述栅极信号线的重叠区域。