[发明专利]阵列基板的检测设备及检测方法有效
申请号: | 201810960263.5 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN109119356B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 李广耀;毛波;桂学海;王庆贺;汪军;王东方;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 检测 设备 方法 | ||
1.一种阵列基板的检测设备,其特征在于,用于对待检测的阵列基板进行检测,包括:
驱动电路,用于向所述阵列基板的像素电极输入预设画面的显示数据;
发光器件,所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光单元,在所述第一电极和第二电极之间电场的作用下,所述发光单元能够发光;
测试机构,用于将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接,向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号;
处理机构,用于获取所述发光器件发出光线的光学信息,根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良;
所述测试机构具体用于将所述发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极通过探针进行电连接,所述像素电极与所述第一电极一一对应,每一所述像素电极与对应的第一电极电连接;或
所述测试机构具体用于将所述发光器件和所述阵列基板置入封闭的测试腔室内,将所述发光器件的第一电极朝向所述阵列基板放置,所述第一电极与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值,在所述第一电极和所述阵列基板之间通入导电粒子,通过所述导电粒子将所述阵列基板的像素电极的电信号传递给所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的检测设备,其特征在于,所述处理机构包括:
位于所述发光器件出光侧的光学检测器件,用于获取所述发光器件发出光线的光学信息;
与所述光学检测器件连接的光电转换器件,用于将所述光学信息转换为电信号;
处理器,用于根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的检测设备,其特征在于,所述发光器件包括多组发光单元,每组发光单元包括多个能够发出不同颜色光的发光单元,每组发光单元发光的光线能够混合成白光;
所述光学检测器件获取所述发光器件发出光线的光学信息,具体为获取所述白光的光学信息。
4.一种阵列基板的检测方法,其特征在于,应用于如权利要求1-3中任一项所述的阵列基板的检测设备,用于对待检测的阵列基板进行检测,包括:
向所述阵列基板的像素电极输入预设画面的显示数据;
将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接,所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光单元,在所述第一电极和第二电极之间电场的作用下,所述发光单元能够发光;
向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号;
获取所述发光器件发出光线的光学信息,根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的检测方法,其特征在于,所述发光器件的面积小于所述阵列基板的面积,所述检测方法具体包括:
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第一区域上方,将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第一区域的像素电极电连接,向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号,获取所述发光器件发出光线的光学信息;
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第二区域上方,将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第二区域的像素电极电连接,向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号,获取所述发光器件发出光线的光学信息;
以此类推;
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第N区域上方,将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第N区域的像素电极电连接,向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号,获取所述发光器件发出光线的光学信息,其中,N为大于1的整数,所述第一区域至所述第N区域能够覆盖所述阵列基板的全部。
6.根据权利要求4所述的阵列基板的检测方法,其特征在于,所述将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接包括:
将所述发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极通过探针进行电连接,所述像素电极与所述第一电极一一对应,每一所述像素电极与对应的第一电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造