[发明专利]数模转换器在审
| 申请号： | 201810960578.X | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109361396A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 杜江;宋婷 | 申请（专利权）人： | 成都凯力科技有限公司;成都方芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/66 | 分类号： | H03M1/66;H03M1/10 |
| 代理公司： | 深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) 44319 | 代理人： | 余薇 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增益电路 阻抗 数模转换器 源极连接 电流输出电路 电位 电源电压 输出阻抗 第一端 漏极 上拉 源极 | ||
1.一种数模转换器，其特征在于，包括：
第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；其中，第一PMOS晶体管的源极连接到电源电压，第一PMOS晶体管的漏极连接到第二PMOS晶体管的源极；
阻抗增益电路，包括第三PMOS晶体管，第四PMOS晶体管和上拉电位模块，用于增加电流输出电路和阻抗增益电路的第一端的输出阻抗；
其中，第三PMOS晶体管的栅极连接到阻抗增益电路的第一端，第三PMOS晶体管的源极连接到阻抗增益电路的第三端，以及第三PMOS晶体管的漏极连接到第四PMOS晶体管的源极；第四PMOS晶体管的漏极连接到阻抗增益电路的第二端。
2.根据权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，其中所述阻抗增益电路包括：第一端，第二个目标，第三端连接到电源电压和第四端连接到地面。
3.根据权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，其中所述第一PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管和所述第四PMOS晶体管在饱和区域中操作。
4.如权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，其中所述上拉电位模块包括电阻器或MOS晶体管。
5.如权利要求4所述的数模转换器，其特征在于，其中，所述MOS晶体管包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的漏极连接到所述阻抗增益电路的第二端，并且所述NMOS晶体管的源极连接到所述第四端阻抗增益电路的一端。
6.如权利要求4所述的数模转换器，其特征在于，其中，所述MOS晶体管包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极连接到所述阻抗增益电路的第二端，并且所述PMOS晶体管的漏极连接到所述第四端阻抗增益电路的一端。
7.根据权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，其中所述上拉电位模块的一端连接到所述阻抗增益电路的第二端，并且所述上拉电位模块的另一端连接到所述第四端阻抗增益电路。
8.如权利要求7所述的数模转换器，其特征在于，其中所述上拉电位模块包括电阻器或MOS晶体管。
9.根据权利要求8所述的数模转换器，其特征在于，其中，所述MOS晶体管包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的漏极连接到所述阻抗增益电路的第二端，并且所述NMOS晶体管的源极连接到所述第四端阻抗增益电路的一端。
10.如权利要求8所述的数模转换器，其特征在于，其中，所述MOS晶体管包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极连接到所述阻抗增益电路的第二端，并且所述PMOS晶体管的漏极连接到所述第四端阻抗增益电路的一端。
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