[发明专利]用于铜互连件的种晶层

权利要求书

1.一种形成互连结构的方法，包括：

将基板定位在第一处理腔室中，所述基板包括图案化表面，所述图案化表面具有形成在其材料层中的开口；和

在所述开口的壁上形成种晶层，包括：

在所述开口的所述壁上形成第一铜层；

在所述第一铜层上形成钌层；和

在所述钌层上形成第二铜层。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述钌层包括顺序地重复将所述基板暴露于钌前驱物且将所述基板暴露于含氢前驱物。

3.如权利要求1所述的方法，其中使用PVD工艺、CVD工艺、ALD工艺或以上项的组合中的至少一种来沉积所述第一铜层和所述第二铜层。

4.如权利要求1所述的方法，其中在第二处理腔室中形成所述钌层，所述第二处理腔室不同于用于形成所述第一铜层的所述第一处理腔室。

5.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一处理腔室中形成所述第一铜层、所述钌层和所述第二铜层，而不从所述第一处理腔室中移除所述基板。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述种晶层中的铜与钌的比率在约99.9:1与约4:1之间。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述钌层的厚度在约1埃与约20埃之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化表面进一步包括设置在所述材料层上的阻挡层，所述阻挡层包括选自由以下组成的群组中的材料：钽、氮化钽、钨、钛、钛钨、氮化钛、氮化钨、钛铜和以上项的组合，并且其中所述第一铜层形成在所述阻挡层上。

9.如权利要求8所述的方法，其中在第二处理腔室中沉积所述阻挡层，并且其中所述第一处理腔室和所述第二处理腔室由传送腔室连接在一起。

10.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一铜层包括顺序地重复将所述基板暴露于铜前驱物且将所述基板暴露于氢前驱物。

11.如权利要求10所述的方法，其中沉积所述第二铜层包括顺序地重复将所述基板暴露于所述铜前驱物且将所述基板暴露于所述氢前驱物。

12.一种形成装置的方法，包括：

在图案化基板上沉积第一铜层，所述图案化基板包括其中形成有开口的材料层和设置在所述材料层上的阻挡层；

在所述第一铜层上沉积钌层；和

在所述钌层上沉积第二铜层。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述材料层包括介电层。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述阻挡层包括选自由以下组成的群组中的材料：钽、氮化钽、钨、钛、钛钨、氮化钛、氮化钨、钛铜和以上项的组合。

15.如权利要求14所述的方法，其中沉积所述第一铜层和所述第二铜层包括将所述图案化基板顺序地暴露于包含含铜有机金属的第一反应性前驱物和包含氢的第二反应性前驱物。

16.如权利要求15所述的方法，其中沉积所述钌层包括将所述图案化基板和沉积在其上的所述第一铜层顺序地暴露于包含含钌有机金属的第三反应性前驱物和包含氢的第四反应性前驱物。

17.如权利要求12所述的方法，其中沉积所述第一铜层和所述第二铜层包括PVD工艺，并且其中沉积所述钌层包括将所述图案化基板顺序地暴露于包含含钌有机金属的第一反应性前驱物和包含氢的第二反应性前驱物。