[发明专利]BCD半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种BCD半导体器件及其制造方法，能够在一块芯片上同时集成两类JFET、两类VDMOS、LIGBT、七类LDMOS、低压NMOS、低压PMOS、低压NPN、低压PNP及二极管等十七类半导体器件，将应用在模拟电路中的Bipolar器件、开关电路中的功率器件、逻辑电路中的CMOS器件等各类横纵向器件集成到一起，节约成本的同时极大提高芯片集成度，所集成的两类VDMOS、两类JFET器件与常规高压半导体器件相比，在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻，通过超结自然形成的槽状隔离结构贯穿整个漂移区将各个器件完全隔离，所述制造方法简单，工艺难度相对较低，构成的BCD器件可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。

技术领域

本发明属于半导体功率器件技术领域，尤其是一种BCD半导体器件及其制造方法。

背景技术

功率集成电路PIC(Power Integrated Circuit)是指将高压功率器件与信号处理系统及外围接口电路、保护电路、检测诊断电路等集成在同一芯片的集成电路。一般将其分为智能功率集成电路SPIC(Smart Power Integrated Circuit)和高压集成电路HVIC(HighVoltage Integrated Circuit)两类。功率集成IC被广泛应用在电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域。BCD指的是将Bipolar、CMOS、DMOS等高压功率器件及各种电阻电容和二极管集成在同一芯片的工艺技术，具有低成本、易封装、易设计和外围芯片更简洁等特点，快速发展为功率IC领域的主流技术。BCD技术中的Bipolar双极晶体管具有高模拟精度主要用于模拟电路中，CMOS具有高集成度主要用于逻辑电路中，DMOS具有高功率(高电压)特性常用作开关作用。主要用作开关使用的DMOS是BCD工艺的核心器件，其功能要求器件具有高耐压的同时尽量小的比导通电阻，DMOS性能的好坏直接决定了芯片的驱动能力与面积，因此DMOS的设计是关键之一；此外，BCD技术中将不同功能的器件集成到一个芯片上，由于器件功能不同，因此所需要的工作环境也不一样，如何将不同器件进行隔离是BCD设计中的另一个关键之一。

发明内容

本发明的目的是提供一种BCD半导体器件及其制造方法，能够在一块芯片上同时集成两类JFET、两类VDMOS、LIGBT、七类LDMOS、低压NMOS、低压PMOS、低压NPN、低压PNP及二极管等半导体器件。其中，所集成的两类JFET、两类VDMOS器件与常规高压半导体器件相比，在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻(或在相同的导电能力的情况下具有更小的芯片面积)；此外，通过槽状隔离结构将各个器件隔离，槽状隔离结构纵向贯穿整个表面外延层，能起到较好的隔离作用。所述制造方法简单，工艺难度相对较低。

为实现上述发明目的，本发明技术方案如下：

1、一种BCD半导体器件，包括集成于同一芯片上的第一类JFET器件1，第一隔离结构204，第一类VDMOS器件2，第二隔离结构203，第二类VDMOS器件3，LIGBT器件4，第一类LDMOS器件5，第二类LDMOS器件6，第三类LDMOS器件7，第四类LDMOS器件8，第五类LDMOS器件9，第六类LDMOS器件10，第七类LDMOS器件11，第二类JFET器件12，低压NMOS器件13，低压PMOS器件14，低压PNP器件15，低压NPN器件16及二极管17；