[发明专利]介质电容在审

专利信息
申请号: 201810961208.8 申请日: 2018-08-22
公开(公告)号: CN110858580A 公开(公告)日: 2020-03-03
发明(设计)人: 刘新新;何小东;孙晓峰 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L27/08
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 邓云鹏
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 介质 电容
【权利要求书】:

1.一种介质电容,其特征在于,包括:

至少两个电容层,每个所述电容层中都至少具有一正电极和一负电极,且所述正电极和所述负电极之间填充有介电材料,该正电极和该负电极均由一第一部分和平行的若干个间隔并分别接合在该第一部分的一侧上的第二部分组成,正电极的若干个第二部分和负电极的若干个第二部分平行并交错间隔排列;

两个相邻电容层之间设有介质层,介质层中设有正电极通孔和负电极通孔;

两个相邻电容层中的正电极的第二部分相互垂直,所述正电极通孔位于两个相邻电容层中的正电极的第二部分之间,并垂直导通两个相邻电容层中的正电极的第二部分,使两个相邻电容层中的正电极电性连接;

两个相邻电容层中的负电极的第二部分相互垂直,所述负电极通孔位于两个相邻电容层中的负电极的第二部分之间,并垂直导通两个相邻电容层中的负电极的第二部分,使两个相邻电容层中的负电极电性连接。

2.根据权利要求1所述的介质电容,其特征在于:所述正电极通孔还位于两个相邻电容层中的正电极的第一部分之间,使两个相邻电容层中的正电极的第一部分电性连接;

所述负电极通孔还位于两个相邻电容层中的负电极的第一部分之间,使两个相邻电容层中的负电极的第一部分电性连接。

3.根据权利要求1或2所述的介质电容,其特征在于:所述正电极通孔的尺寸和所述负电极通孔的尺寸相同。

4.根据权利要求1或2所述的介质电容,其特征在于:所述正电极通孔和所述负电极通孔在平行于所述电容层的方向上的横截面为圆形、正方形或长方形。

5.根据权利要求2所述的介质电容,其特征在于:所述位于两个相邻电容层中的正电极的第二部分之间的正电极通孔的尺寸大于所述两个相邻电容层中的正电极的第一部分之间的正电极通孔的尺寸;

所述位于两个相邻电容层中的负电极的第二部分之间的负电极通孔的尺寸大于所述两个相邻电容层中的负电极的第一部分之间的负电极通孔的尺寸。

6.根据权利要求1所述的介质电容,其特征在于:所述正电极的若干个第二部分和所述负电极的若干个第二部分等间距平行并交错间隔排列。

7.根据权利要求1或6所述的介质电容,其特征在于:所述正电极的若干个第二部分的尺寸和所述负电极的若干个第二部分的尺寸相同。

8.根据权利要求1或6所述的介质电容,其特征在于:所述正电极和所述负电极的制作材料为金属或多晶硅。

9.根据权利要求1或6所述的介质电容,其特征在于:位于相同电容层中的正电极和负电极的制作材料相同。

10.根据权利要求1或6所述的介质电容,其特征在于:每个所述正电极的第二部分的数量与每个所述负电极的第二部分的数量相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810961208.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top