[发明专利]一种主动抑制SiC MOSFET串扰现象的驱动电路及电路改进方法

权利要求书

1.一种主动抑制SiC MOSFET串扰现象的驱动电路，其特征在于，所述电路结构包括上管驱动回路和下管驱动回路；所述上管驱动回路包括PWM驱动信号、上管驱动电路和上管S₁；在所述上管驱动电路的一端串联有SiC MOSFET驱动回路栅极限流电阻R_on1，在所述SiCMOSFET驱动回路栅极限流电阻R_on1的两端并联有辅助二极管VD₁，并且，所述辅助二极管VD₁与驱动回路辅助电阻R_off1串联后再与R_on1并联；所述SiC MOSFET驱动回路栅极限流电阻R_on1与电阻R_c1串联，所述电阻R_c1为并联在PNP三极管VT₁基极与发射极之间的电阻；在VT₁集电极与SiC MOSFET源极之间并联有辅助电容C_gsa1；

所述下管驱动回路包括PWM驱动信号、下管驱动电路和下管S₂；在所述下管驱动电路的一端串联有SiC MOSFET驱动回路栅极限流电阻R_on2，在所述SiC MOSFET驱动回路栅极限流电阻R_on2的两端并联有辅助二极管VD₂，并且，所述辅助二极管VD₂与驱动回路辅助电阻R_off2串联后再与R_on2并联；所述SiC MOSFET驱动回路栅极限流电阻R_on2与电阻R_c2串联，所述电阻R_c2为并联在PNP三极管VT₂基极与发射极之间的电阻；在VT₂集电极与SiC MOSFET源极之间并联有辅助电容C_gsa2；

所述驱动电路的串扰发生时串扰电压的最大值V_{gs_max}为：

并且串扰电压最大值的极限值为：

其中，C_gs为栅源极结电容，C_gd为栅漏极结电容，V_cc为母线电压，dv/dt为下管漏源极之间的电压变化率。

2.根据权利要求1所述驱动电路，其特征在于，所述上管S₁和下管S₂均采用C3M0065090D型号的SiC MOSFET晶体管。