[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底并将所述衬底放置在反应腔中；

在所述衬底上间断性生长N型半导体层；其中，所述间断性生长包括依次出现的多个生长周期，每个所述生长周期包括生长阶段和在所述生长阶段之后出现的处理阶段；所述生长阶段时持续向所述反应腔内通入生长所述N型半导体层的全部反应物，生长所述N型半导体层；所述处理阶段时停止向所述反应腔内通入生长所述N型半导体层的部分反应物，并持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述N型半导体层的表面残留的反应物；

在所述N型半导体层上依次生长有源层和P型半导体层；

所述生长阶段时持续向所述反应腔内通入生长所述N型半导体层的全部反应物，生长所述N型半导体层，包括：

持续向所述反应腔内通入镓源、氨气和N型掺杂剂，形成N型掺杂的氮化镓层；

所述处理阶段时停止向所述反应腔内通入生长所述N型半导体层的部分反应物，并持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述N型半导体层的表面残留的反应物，包括：

停止向所述反应腔内通入镓源和N型掺杂剂，继续向所述反应腔内通入氨气，同时持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述N型掺杂的氮化镓层的表面残留的N型掺杂剂；或者，

停止向所述反应腔内通入氨气和N型掺杂剂，继续向所述反应腔内通入镓源，同时持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述N型掺杂的氮化镓层的表面残留的N型掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述镓源的通入流量为350sccm～1000sccm，所述氨气的通入流量为40L/min～80L/min，所述N型掺杂剂的通入流量为130sccm～180sccm。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氢气的通入流量为80L/min～150L/min。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述处理阶段的持续时长为10s～15s。

5.根据权利要求2～4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述生长阶段的持续时长为1.5min～10min。

6.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述N型半导体层包括依次层叠的多个子层，每个所述子层的生长包括生长阶段和在所述生长阶段之后出现的处理阶段；所述生长阶段时持续向反应腔内通入生长所述N型半导体层的全部反应物，生长所述N型半导体层；所述处理阶段时停止向所述反应腔内通入生长所述N型半导体层的部分反应物，并持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述N型半导体层的表面残留的反应物；

所述生长阶段时持续向所述反应腔内通入生长所述N型半导体层的全部反应物，生长所述N型半导体层，包括：

持续向所述反应腔内通入镓源、氨气和N型掺杂剂，形成N型掺杂的氮化镓层；

所述处理阶段时停止向所述反应腔内通入生长所述N型半导体层的部分反应物，并持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述N型半导体层的表面残留的反应物，包括：

停止向所述反应腔内通入镓源和N型掺杂剂，继续向所述反应腔内通入氨气，同时持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述N型掺杂的氮化镓层的表面残留的N型掺杂剂；或者，

停止向所述反应腔内通入氨气和N型掺杂剂，继续向所述反应腔内通入镓源，同时持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述N型掺杂的氮化镓层的表面残留的N型掺杂剂。