[发明专利]埋入式芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种埋入式芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一金属基底；

在所述金属基底上设置有金属层，其中，金属层内形成多个凹槽；

将芯片放置在所述金属基底上，并位于所述凹槽中，所述芯片包括远离所述金属基底的第一芯片表面，在所述第一芯片表面上设置有连接端子；

在所述芯片的所述第一芯片表面上设置介质层；

将所述芯片的连接端子扇出。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述金属层内进一步形成多个间隙，所述凹槽和所述间隙由所述金属层间隔设置。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述金属基底包括相对设置的第一基底表面和第二基底表面；

所述在所述金属基底上设置有金属层进一步包括：

在所述第一基底表面上设置第一感光膜层；

对所述第一感光膜层进行曝光、显影，以形成间隔设置的图案化膜层，所述图案化膜层与所述凹槽和所述间隙对应；

在两图案化膜层之间进行金属电镀，以形成所述金属层；

将所述图案化膜层去除，以形成所述凹槽和所述间隙。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一基底表面上设置第一感光膜层还包括：

在所述第二基底表面上设置第二感光膜层；

所述将所述图案化膜层去除的步骤包括：

将所述第二感光膜层去除。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在两图案化膜层之间进行金属电镀的步骤包括：

对所述金属层的表面进行刷磨处理。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度等于或大于所述芯片的厚度，所述第一感光膜层的厚度等于或大于所述金属层的厚度，所述第二感光膜层的厚度小于或等于所述第一感光膜层的厚度。

7.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述芯片进一步包括与所述第一芯片表面相对设置的第二芯片表面；

所述将芯片放置在所述金属基底上包括：

在所述金属基底位于所述凹槽的位置设置粘结胶，所述第二芯片表面通过所述粘结胶与所述金属基底粘结；

固化所述粘结胶，以将所述金属基底和所述芯片相对固定。

8.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述芯片的所述第一芯片表面上设置介质层包括：

所述介质层进一步填充所述凹槽和所述间隙，并覆盖所述金属层；

固化所述介质层。

9.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述将所述芯片的连接端子扇出的步骤包括：

在所述介质层对应所述连接端子的位置设置导电通孔，所述导电通孔将所述连接端子外露；

在所述导电通孔中设置第一引出端子，并延伸到所述介质层外，以将所述连接端子扇出。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述介质层上设置阻焊层，并在对应第一引出端子的位置形成阻焊开口，以外露所述第一引出端子；

在所述第一引出端子上进一步设置第二引出端子，使得所述连接端子通过所述第一引出端子和所述第二引出端子扇出。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述间隙对应的位置进行切割处理，已将位于所述凹槽中的芯片分离。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述阻焊层对应所述间隙的位置设置靶标图案，以方便切割。