[发明专利]金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法在审
| 申请号： | 201810963084.7 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN108760781A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郭建超;蔚翠;冯志红;刘艳青;房玉龙;何泽召;刘庆彬;周闯杰;高学栋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01N23/20008 | 分类号： | G01N23/20008;G01N23/203 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石样品 电子背散射衍射 分析样品 抛光处理 金刚石 制备 氢等离子体处理 导电性 表面平整 残余应力 半导体技术领域 金刚石表面 氢终端 分析 | ||
1.一种金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，包括：
将金刚石样品进行抛光处理；
将抛光处理后的金刚石样品进行氢等离子体处理。
2.如权利要求1所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，还包括：
将氢等离子处理后的金刚石样品进行高温退火处理。
3.如权利要求2所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，所述将氢等离子处理后的金刚石样品进行高温退火处理，包括：
以5℃/s至10℃/s的升温速率将氢等离子处理后的金刚石样品的温度升高至850摄氏度至900摄氏度；
在5分钟至10分钟内，将所述金刚石样品的温度维持在850摄氏度至900摄氏度；
以5℃/s至10℃/s的降温速率将所述金刚石样品进行降温处理。
4.如权利要求1所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，所述将金刚石样品进行抛光处理，包括：
将金刚石样品进行机械抛光处理；
将机械抛光处理后的金刚石样品进行第一清洗处理；
将第一清洗处理后的金刚石样品进行化学机械抛光处理。
5.如权利要求4所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，所述化学机械抛光处理中使用的化学抛光剂为氢氧化钾、硝酸钾或氧化硅胶体溶液。
6.如权利要求4所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，所述将机械抛光处理后的金刚石样品进行第一清洗处理，包括：
将机械抛光处理后的金刚石样品在强酸溶液中清洗；
将在强酸溶液中清洗后的金刚石样品依次在丙酮溶液和酒精溶液中进行超声清洗。
7.如权利要求1所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，所述将抛光处理后的金刚石样品进行氢等离子体处理之前，还包括：
将抛光处理后的金刚石样品进行第二清洗处理。
8.如权利要求7所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，所述将抛光处理后的金刚石样品进行第二清洗处理，包括：
将抛光处理后的金刚石样品在强酸溶液中清洗；
将在强酸溶液中清洗后的金刚石样品依次在丙酮溶液和酒精溶液中进行超声清洗。
9.如权利要求1至8任一项所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，所述氢等立体处理的等离子体功率为3千瓦至5千瓦；所述氢等离子处理中金刚石样品的温度为700摄氏度至900摄氏度；所述氢等离子体处理的时间为1分钟至5分钟。
10.如权利要求6或8所述的金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，所述强酸溶液为浓硫酸和浓硝酸的混合溶液，浓硫酸与浓硝酸的体积比为6:1至8:1；在所述强酸溶液中清洗的温度为150摄氏度至250摄氏度，清洗时间为10分钟至30分钟。
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