[发明专利]闪存器的擦除方法及闪存器

说明书

本发明公开了一种闪存器的擦除方法及闪存器。其中，闪存器包括：多个块，每个所述块由多个存储单元组成，所述存储单元为所述闪存器的最小数据存储单位；控制器，用于从外部主控制器接收携带擦除参数的写入指令，将所述擦除参数写入寄存器；以及用于从外部主控制器接收针对目标块的擦除指令，获取所述目标块的擦除参数；基于所述目标块的擦除参数，确定对应所述目标块的擦除电压；以及，基于所确定的所述擦除电压，对所述目标块执行擦除操作；所述寄存器，用于存储所述擦除参数。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存器的擦除方法及闪存器。

背景技术

在NAND闪存中，P(Program)/E(Erase)Cycle，称为擦除周期(次数)，是判断NAND闪存寿命的关键参数。随着P/E Cycle的增加，浮栅与沟道之间的氧化层被磨损的越来越严重，导致浮栅中电子的控制越来越艰难，最终结果就是，NAND的寿命走到了尽头，所以，减少P/E cycle，是延长NAND寿命的主要方式。

相关技术中，对NAND执行擦除操作，往往需要多次调整擦除电压，产生多个擦除脉冲才能擦除成功，擦除效率低。

发明内容

为解决现有存在的技术问题，本发明实施例提供一种闪存器的擦除方法及闪存器，能够有效的减少无效的擦除脉冲的数量，提高擦除效率。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种闪存器，包括：

多个块，每个所述块由多个存储单元组成，所述存储单元为所述闪存器的最小数据存储单位；

控制器，用于从外部主控制器接收携带擦除参数的写入指令，将所述擦除参数写入寄存器；并且用于从所述外部主控制器接收针对目标块的擦除指令，从所述寄存器获取所述目标块的所述擦除参数；

基于所述目标块的所述擦除参数，确定对应于所述目标块的擦除电压；以及

基于所确定的所述擦除电压，对所述目标块执行擦除操作；以及

所述寄存器，用于存储所述擦除参数。

上述方案中，所述擦除参数为擦除次数，所述寄存器用于存储所述目标块的擦除次数，以及擦除次数与擦除电压的映射关系；

相应的，所述控制器还用于基于所述目标块的擦除次数，在所述映射关系中查找对应的擦除电压，并将其作为所述目标块的擦除电压。

上述方案中，所述擦除参数为擦除次数，

所述寄存器用于存储所述目标块的擦除次数；

所述控制器还用于确定擦除次数与擦除电压的对应关系；基于所述目标块的擦除次数及所述对应关系，确定所述目标块的擦除电压。

上述方案中，所述擦除参数为擦除脉冲数，

所述寄存器用于存储所述目标块对应的擦除脉冲数；

相应的，所述控制器还用于根据所述目标块所对应的擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。

上述方案中，所述控制器，还用于接收携带擦除脉冲数的写入指令，将所述目标块对应的擦除脉冲数写入所述寄存器；

其中，所述擦除脉冲数为基于所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表所得到。

上述方案中，所述控制器，还用于确定所述目标块的初始擦除电压及用于调整擦除电压的步长；

根据所述初始擦除电压、所确定的所述步长及所述擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。

上述方案中，所述擦除参数为擦除脉冲数，