[发明专利]一种超辐射发光二极管宽带光源在审

专利信息
申请号: 201810964199.8 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN108923260A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 张润;何威威;吕小威;李同宁;游毓麒 申请(专利权)人: 武汉英飞华科技有限公司
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;H01S5/042
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 黄君军
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 超辐射发光二极管 合波器件 宽带光源 驱动电路 光法 多层介质膜 输出功率 数量相等 电连接 合波器 宽带光 波型 光谱 减小 可控 光纤 平坦
【说明书】:

发明公开一种超辐射发光二极管宽带光源,包括多个超辐射发光二极管、WDM合波器件以及光法兰,还包括与所述超辐射发光二极管数量相等且一一对应的驱动电路,多个所述超辐射发光二极管分别通过光纤与所述WDM合波器件连接,所述WDM合波器件与所述光法兰连接,所述超辐射发光二极管与对应的驱动电路电连接。本发明提供的超辐射发光二极管宽带光源通过WDM合波器的多层介质膜将多个超辐射发光二极管发出的宽带光合在一起,在提高输出功率和增大光谱宽度的同时,能减小损耗,使波型平坦可控。

技术领域

本发明涉及超辐射发光二极管应用技术领域,具体涉及一种超辐射发光二极管宽带光源。

背景技术

超辐射发光二极管(SLD)近年来迅速发展,它是介于激光器(LD)和发光二极管(LED)之间的一种半导体光电器件,具有输出功率高,光谱宽度宽等特点,极其适合用于诸如光学相干层析(OCT)成像系统、无源器件测试和光纤陀螺仪(FOG)等。

但在很多领域的应用中,单个超辐射发光二极管往往功率或带宽达不到使用要求。现有解决办法是采用合束器将多个超辐射发光二极管发出的宽带光合在一起输出,但存在损耗大,谱型不平坦等诸多弊端。

发明内容

本发明的目的在于克服上述技术不足,提供一种超辐射发光二极管宽带光源,解决现有技术中多个超辐射发光二极管合波级联时损耗过大、谱型不平坦的技术问题。

为达到上述技术目的,本发明的技术方案提供一种超辐射发光二极管宽带光源,包括多个超辐射发光二极管、WDM合波器件以及光法兰,还包括与所述超辐射发光二极管数量相等且一一对应的驱动电路,多个所述超辐射发光二极管分别通过光纤与所述WDM合波器件连接,所述WDM合波器件与所述光法兰连接,所述超辐射发光二极管与对应的驱动电路电连接。

与现有技术相比,本发明的有益效果包括:本发明利用WDM合波器对多个超辐射发光二极管进行合波级联,通过WDM合波器的多层介质膜将多个超辐射发光二极管发出的宽带光合在一起,在提高输出功率和增大光谱宽度的同时,能减小损耗,使波型平坦可控。

附图说明

图1是本发明提供的超辐射发光二极管宽带光源的结构示意图;

图2是本发明提供的超辐射发光二极管宽带光源的光路图;

图3是本发明提供的超辐射发光二极管宽带光源的驱动电路电路图;

图4是本发明提供的超辐射发光二极管宽带光源的温度控制电路电路图;

图5是一个超辐射发光二极管的光谱图;

图6是另一个超辐射发光二极管的光谱图;

图7是现有技术中合束器实现的宽带光源的光谱图;

图8是本发明提供的超辐射发光二极管宽带光源的光谱图。

附图标记:

1、超辐射发光二极管,2、WDM合波器件,3、光法兰,4、驱动电路,5、光纤,6、盒体,7、温度控制电路。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

实施例1:

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