[发明专利]形成图像传感器的方法及图像传感器在审

专利信息
申请号: 201810964887.4 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN109103210A 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 周艮梅;金子贵昭;黄晓橹 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 田菁
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 覆盖层 图像传感器 衬底 半导体 侧壁 底壁 光电二极管 暗电流 减小 填满 覆盖 扩散
【权利要求书】:

1.一种形成图像传感器的方法,其特征在于,包括:

在半导体衬底中于光电二极管周围形成沟槽;

在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的覆盖层,所述覆盖层具有P型掺杂剂,并且所述覆盖层中的P型掺杂剂的浓度高于位于所述覆盖层周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度,其中,所述覆盖层不填满所述沟槽;以及

使得所述覆盖层中的所述P型掺杂剂向所述半导体衬底中扩散,从而在所述半导体衬底中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的P型扩散区。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过沉积处理形成所述覆盖层。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述覆盖层由硼硅玻璃形成。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述硼硅玻璃中掺杂的硼的摩尔百分比为1%~10%。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过进行热处理来促使所述P型掺杂剂扩散。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,控制所述热处理的工艺条件,使得形成的所述扩散区不接触所述光电二极管中的PN结。

7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述热处理的加热温度为400℃~450℃。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

沉积金属材料,在所述金属材料填满所述沟槽之后继续沉积所述金属材料,直到沉积的所述金属材料在所述沟槽所对应的区域高于所述半导体衬底;以及

刻蚀所述金属材料,去除所述金属材料位于所述沟槽所对应的区域之外的部分,以形成位于所述沟槽之上的所述图像传感器的光隔离结构的至少部分。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述金属材料为钨。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

在所述沟槽中形成主体层,并使得所述主体层填满所述沟槽。

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