[发明专利]一种报废光刻掩膜版的回收处理方法

说明书

本发明公开了一种报废光刻掩膜版的回收处理方法，包括：将报废光刻掩膜版表层的铬金属层用酸性腐蚀液腐蚀掉，得到膜版基底；用去离子水冲洗膜版基底表面；对膜版基底的双面表层进行衬底级的CMP化学抛光；将抛光后检验合格的膜版基底做镀铬前预清洗，先用酸洗，再用去离子水冲洗，然后用碱洗，再用去离子水冲洗，酸碱清洗重复多次；在膜版基底表面镀一定厚度的铬层，制作新的光刻掩膜版。通过对报废膜版基底的优化处理，从而使报废的膜版得到再次利用，不仅解决了行业资源的浪费，而且还变相的降低了生产成本。可以大大提高光刻版的反复利用次数，工艺简单，适合大规模批量生产。

技术领域

本发明属于半导体微纳加工技术领域，具体地涉及一种报废光刻掩膜版的回收处理方法。

背景技术

在现有的半导体光刻技术领域中，由于掩膜版的反复使用次数非常频繁，因多次重复使用导致在工艺中引入膜版缺陷，需在完成光刻掩膜版制作后对掩膜版上所有的缺陷通过修复方法和清洗进行修复，掩膜图形缺陷的修复是制造高品质掩膜版的关键步骤，然而，有时对于光刻掩膜版的过修复可能引起掩膜版基底例如石英基底损伤问题的出现。

因此，当达到一定的缺陷率时，不能继续使用膜版，通常膜版达到一定的使用寿命后，最后就由产线直接作报废处理的，工艺线由于设计到芯片技术的保密，通用的报废方式是采用酸洗的方式直接将膜版图形破坏掉，最后将报废版无期限的放置仓库。这种报废方式对于整个半导体产业而言，造成掩膜版玻璃的大量资源浪费。

发明内容

针对上述现有技术存在的技术问题，本发明目的是：提供了一种报废光刻掩膜版的回收处理方法，通过对报废膜版基底的优化处理，从而使报废的膜版得到再次利用，不仅解决了行业资源的浪费，而且还变相的降低了生产成本。可以大大提高光刻版的反复利用次数，工艺简单，适合大规模批量生产。

本发明的技术方案是：

一种报废光刻掩膜版的回收处理方法，包括以下步骤：

S01：将报废光刻掩膜版表层的铬金属层用酸性腐蚀液腐蚀掉，得到膜版基底；

S02：用去离子水冲洗膜版基底表面；

S03：对膜版基底的双面表层进行衬底级的CMP化学抛光；

S04：将抛光后检验合格的膜版基底做镀铬前预清洗，先用酸洗，再用去离子水冲洗，然后用碱洗，再用去离子水冲洗，酸碱清洗重复多次；

S05：在膜版基底表面镀一定厚度的铬层，制作新的光刻掩膜版。

优选的技术方案中，所述酸性腐蚀液为中强酸中的一种或者多种混合液。

优选的技术方案中，所述酸性腐蚀液为硝酸铈铵与冰乙酸的混合液。

优选的技术方案中，所述去离子水的电阻率为16-18M。

优选的技术方案中，所述CMP化学抛光的深度为5～10um，抛光清洗后膜版基底的双面表面粗糙度Ra控制在0.3nm以内，双表面平面度控制在8um以内，双表面平面平行度控制在5um以内。

优选的技术方案中，所述步骤S05中将膜版基底放入真空镀膜机内，所述真空镀膜机选用溅射台，用溅射的方法在膜版基底上表面镀100～200nm厚的铬层。

优选的技术方案中，所述膜版基底为苏打玻璃或石英玻璃，厚度控制在2-3mm。

与现有技术相比，本发明的优点是：

通过对报废膜版基底的优化处理，从而使报废的膜版得到再次利用，不仅解决了行业资源的浪费，而且还变相的降低了生产成本。可以大大提高光刻版的反复利用次数，工艺简单，适合大规模批量生产，可广泛应用于半导体芯片光刻工艺加工领域及其它光学掩膜领域。

附图说明