[发明专利]一种光学元件微纳阵列结构的制备方法在审
| 申请号： | 201810965172.0 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109188577A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 孙勇;刘娟;李开宇;吕学良;曹振博;洪升;郑京明 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列结构 基底表面 膜层 周期阵列结构 光学元件 制备 基体材料 刻蚀步骤 形状规则 微结构 沉积 去除 | ||
1.一种光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
1)在基底表面上设置膜层；
2)通过物理方法和/或化学方法除去部分膜层，使剩余的膜层在所述基底表面上呈周期阵列结构；
3)微纳阵列结构制备：
A、在所述带有周期阵列结构膜层的基底表面沉积一层基体材料；
B、通过物理方法和/或化学方法将基底表面的周期阵列结构膜层去除；所述的基体材料在所述基底表面上形成一种微纳阵列结构；
所述的微纳阵列结构与所述的周期阵列结构互补。
2.根据权利要求1所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的基底为光学元件。
3.根据权利要求1所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的膜层为光刻胶涂层；所述的光刻胶涂层的加工方式为涂覆或者沉积。
4.根据权利要求3所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的光刻胶涂层为正性胶；所述的光刻胶涂层经曝光后变成可溶解的材料。
5.根据权利要求4所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的物理方法或者化学方法为掩膜、曝光、显影和/或坚影。
6.根据权利要求5所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的显影为将经过曝光的光刻胶涂层浸入显影液溶液中使光刻胶涂层溶解。
7.根据权利要求1所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的基体材料为金属材料或者无机氧化物材料。
8.根据权利要求7所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的金属材料的沉积方式为电子蒸镀或者磁控溅射。
9.根据权利要求7所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的无机氧化物材料的沉积方式为化学气相沉积或者原子层沉积。
10.根据权利要求1所述的光学元件微纳阵列结构的制备方法，其特征在于，所述的基体材料的沉积是在所述膜层的周期阵列空隙中沉积。
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