[发明专利]一种功率器件终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种功率器件终端结构，其特征在于，包括主结区域和场限环耐压区，所述主结区域包括注入形成于第一导电类型外延层的第二导电类型的主结、形成于所述主结内且一端超出所述主结的补偿注入区以及形成于所述主结内位于所述补偿注入区之上的体区，所述场限环耐压区包括注入形成于所述外延层的至少一个第二导电类型的场限环以及形成于所述场限环内远离所述有源区一侧的偏移结，所述终端结构还包括形成于所述外延层、主结以及场限环上表面的环区表面氧化层以及栅极氧化层，所述环区表面氧化层形成且覆盖于所述主结以及所述场限环的两端，以及形成于所述环区表面氧化层以及栅极氧化层上表面的多晶硅栅极、多晶硅栅极走线以及多晶硅场板。

2.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述主结和场限环第一次驱入温度为1100-1150℃，第二次驱入温度为1150-1200℃。

3.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述主结和场限环均采用分次驱入形成。

4.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述主结补偿注入区超出所述主结一端的长度小于所述体区超出所述主结一端的长度。

5.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述主结宽度为30-50um，场限环的宽度为8-12um。

6.一种功率器件终端结构的制备方法，其特征在于，包括：

在第一导电类型外延层表面形成环区表面氧化层；

在所述环区表面氧化层刻蚀形成主结注入窗口以及场限环注入窗口；

在所述外延层注入形成第二导电类型的主结以及场限环；

对所述主结以及所述场限环进行第一次驱入，使所述主结以及所述场限环向所述外延层内部扩散；

去除所述主结上方有源区的环区表面氧化层，做补偿注入的光刻，形成光刻胶；

在所述光刻胶以及所述环区表面氧化层的阻挡下，做主结补偿注入以及场限环补偿注入，分别形成主结补偿注入区以及场限环的偏移结；

去除所述光刻胶，对所述主结以及所述场限环进行第二次驱入，使得最终所述主结以及所述场限环的结深与传统技术形成的结深相等；

在所述主结注入窗口以及所述场限环注入窗口分别形成栅极氧化层和多晶硅栅极，在所述环区表面氧化层之上形成多晶硅场板；

所述主结区域在多晶硅的阻挡下，做器件体区的注入及驱入，使所述体区形成于所述主结补偿注入区之上。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述主结和所述场限环第一次驱入温度为1100-1150℃，第二次驱入温度为1150-1200℃。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述主结补偿注入区的注入剂量为8E14-1E15。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述主结补偿注入区一端超出所述主结，所述体区一端超出所述主结，所述主结补偿注入区超出所述主结一端的长度小于所述体区超出所述主结一端的长度。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述主结宽度为30-50um，场限环的宽度为8-12um。