[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种操作包括单元串的存储器装置的方法，所述单元串包括在垂直方向上层叠到基板的多个源极选择晶体管、多个存储器单元和多个漏极选择晶体管，该方法包括以下步骤：

使用固定的编程电压对所述多个源极选择晶体管当中的一个或更多个第一源极选择晶体管进行编程；以及

使用增量步进脉冲编程ISPP方法对所述多个源极选择晶体管当中的除了所述一个或更多个第一源极选择晶体管之外的至少一个第二源极选择晶体管进行编程，

其中，在所述至少一个第二源极选择晶体管的编程期间保持所述一个或更多个第一源极选择晶体管的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个第一源极选择晶体管联接到与公共源极线相邻的第一源极选择线，并且

所述至少一个第二源极选择晶体管联接到与所述第一源极选择线相邻的第二源极选择线。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，对所述一个或更多个第一源极选择晶体管进行编程的步骤包括以下步骤：

执行对所述一个或更多个第一源极选择晶体管进行编程的第一编程操作，并且

其中，对所述至少一个第二源极选择晶体管进行编程的步骤包括以下步骤：

在完成所述第一编程操作之后，执行对所述至少一个第二源极选择晶体管进行编程的第二编程操作。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行所述第一编程操作的步骤包括以下步骤：

向与所述第一源极选择线联接的所述一个或更多个第一源极选择晶体管提供与所述固定的编程电压对应的第一编程电压达预定次数。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，执行所述第一编程操作的步骤包括以下步骤：

向与所述第一源极选择线联接的所述一个或更多个第一源极选择晶体管施加与所述固定的编程电压对应的第一编程电压；以及

验证与所述第一源极选择线联接的所述一个或更多个第一源极选择晶体管的阈值电压是否达到第一目标阈值电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，执行所述第二编程操作的步骤包括以下步骤：

向与所述第二源极选择线联接的所述至少一个第二源极选择晶体管施加第二编程电压；

验证与所述第二源极选择线联接的所述至少一个第二源极选择晶体管的阈值电压是否达到第二目标阈值电压；以及

根据验证结果将所述第二编程电压的电平增大步进电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二编程电压的电压电平高于所述第一编程电压的电压电平。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二目标阈值电压的电压电平高于所述第一目标阈值电压的电压电平。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单元串中所包括的所述第一源极选择晶体管的数目小于所述单元串中所包括的所述第二源极选择晶体管的数目。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单元串中所包括的所述第一源极选择晶体管的数目是两个，并且所述单元串中所包括的所述第二源极选择晶体管的数目是五个。