[发明专利]基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法有效

专利信息
申请号: 201810967724.1 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN109145448B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 王从思;应康;刘菁;李申;王志海;王璐;严粤飞;刘英想;钟剑锋;王伟;宋立伟 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 姚咏华
地址: 710075 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 基于 环境 材料 属性 频段 mems 移相器 性能 预测 方法
【说明书】:

发明公开了一种基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法,包括确定X频段MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数;建立结构‑热变形仿真模型并热仿真,仿真提取MEMS桥的温度;测试热环境下MEMS桥材料对应的弹性模量值,并函数拟合;计算得到MEMS移相器下拉电压,使得MEMS桥高度产生误差;根据误差利用MEMS桥机电耦合模型计算MEMS桥的相移量;计算MEMS移相器的相移量;预测当前热环境与材料属性下MEMS移相器的相移量。本方法可以直接分析热环境与桥材料属性对移相器的影响,利用环境温度直接对MEMS移相器相移量定量预测,指导设计与优化,改善工作环境下移相器性能的稳健性。

技术领域

本发明属于微波器件技术领域,具体是基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法。可以直接分析热环境与桥材料属性对移相器的影响,利用环境温度直接对MEMS移相器相移量进行定量预测,从而指导MEMS移相器的设计与优化,改善工作环境下移相器性能的稳健性。

背景技术

随着RF MEMS(Micro-electromechanical Systems)技术的发展,MEMS移相器,因其小型化、损耗低、成本低、性能好等优势,已广泛应用于各种雷达和卫星导航等领域中。其中MEMS移相器相对于其他形式的MEMS移相器工艺制造更容易、体积更小、性能更好,并被誉为“最有吸引力的器件之一”,因此成为国内外学者研究的热点。

MEMS移相器利用“R-L-C”网络实现移相功能。“R-L-C”网络由若干个“R-L-C”(移相)单元按照一定规则组成,每个“R-L-C”单元只能完成有限的移相。而“R-L-C”移相单元是以机械的物理结构形式出现的。要完成整个移相器移相的功能,需要大量的机械结构单元,随着机械结构单元数目阶跃性的增长,各种副作用也会随之产生,其中一个主要的问题是MEMS移相器所处热环境变化会引起MEMS桥温度变化,从而改变MEMS桥材料属性,导致下拉电压不变的情况下,MEMS桥高度存在误差,最终影响移相器性能。为了解决这个问题,方便工程应用,需要提前预估环境温度对MEMS移相器性能的影响,人们从不同角度开展研究,主要通过优化设计MEMS移相器的方法减少移相器误差,主要有两种方法:1.从机械角度对MEMS移相器进行研究,此研究方法只能对MEMS移相器的结构进行改进,不能考虑到电参数是否满足要求;2.从电路角度对MEMS移相器进行研究,此研究方法脱离物理结构,不能准确预测不同环境温度下移相器性能。

因此,有必要基于热环境考虑MEMS桥材料属性变化导致MEMS移相器移相性能的变化,直接分析热环境与桥材料属性对移相器相移量的影响,根据热环境与桥材料属性直接对MEMS移相器相移量进行定量预测,指导MEMS移相器的设计与优化,为MEMS移相器性能预测提供了全新的研究方法。

发明内容

基于上述问题,本发明建立的MEMS移相器结构参数MEMS桥高度和相移量之间的机电耦合模型,可以实现MEMS移相器结构参数和电参数耦合分析,可用于直接分析结构参数对移相器相移量的影响,指导MEMS移相器的结构设计与优化。

实现本发明目的的技术解决方案是,基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法,该方法包括下述步骤:

基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法,包括下述步骤:

(1)确定X频段MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数;

(2)建立MEMS移相器结构-热变形仿真模型;

(3)对MEMS移相器进行热仿真、底板加热源仿真,并提取MEMS桥的温度;

(4)提取在实验测试工作热环境下MEMS桥材料对应的弹性模量值,再转换为弹性系数与环境温度的关系,并进行函数拟合;

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