[发明专利]多重状态存储器元件及其存储状态值的调整方法

权利要求书

1.一种多重状态存储器元件，包括：

一第一存储器单元；

一第二存储器单元，具有与该第一存储器单元相同的一存储单元结构，并与该第一存储器单元串接；

一第一控制单元，与该第一存储器单元串联或并联；以及

一第二控制单元，具有与该第一控制单元相同的一特征值以及一相同连接结构，用以与该第二存储器单元电性连接；

当该第一存储器单元经由该第一控制单元接收一第一信号和一第二信号时，该第一存储器单元分别产生一第一状态值和一第二状态值；其中，该特征值介于该第一状态值和该第二状态值之间；

其中，该第一控制单元包括一第一电阻，具有一第一电阻值；该第二控制单元包括一第二电阻，具有一第二电阻值，该特征值为该第一电阻值，且等于该第二电阻值。

2.如权利要求1所述的多重状态存储器元件，其中该第一状态值和该第二状态值，是在该第一存储器单元分别接收该第一信号和该第二信号后，通过对该第一存储器单元输入具有一固定电压脉冲的一读取信号所测量而得。

3.如权利要求1所述的多重状态存储器元件，当第一信号和该第二信号皆为一固定电压时，该第一电阻与该第一存储器单元串联，该第二电阻与该第二存储器单元串联；当第一信号和该第二信号皆为一固定电流时，该第一电阻与该第一存储器单元并联；且该第二电阻与该第二存储器单元并联。

4.如权利要求1所述的多重状态存储器元件，更包括一第三存储器单元，具有该存储单元结构，且串接该第二存储器单元，形成一存储器串行。

5.一种多重状态存储器元件，包括：

一第一存储器单元；

一第二存储器单元，具有与该第一存储器单元相同的一存储单元结构，并与该第一存储器单元串接；

一第一控制单元，与该第一存储器单元串联或并联；以及

一第二控制单元，具有与该第一控制单元相同的一特征值以及一相同连接结构，用以与该第二存储器单元电性连接；

当该第一存储器单元经由该第一控制单元接收一第一信号和一第二信号时，该第一存储器单元分别产生一第一状态值和一第二状态值；其中，该特征值介于该第一状态值和该第二状态值之间；

其中，该第一控制单元包括一第一开关(switch)，具有一第一阈值电压值；该第二控制单元包括一第二开关，具有一第二阈值电压值，该特征值为该第一阈值电压值，且等于该第二阈值电压值。

6.如权利要求5所述的多重状态存储器元件，其中：

当该第一状态值小于该第一阈值电压值，且具有比该第二状态值大的一分布变异程度时，该第一开关与该第一存储器单元串联；且该第二开关与该第二存储器单元串联；

当该第一状态值大于该第一阈值电压值，且具有比该第二状态值大的一分布变异程度时，该第一开关与该第一存储器单元并联；且该第二开关与该第二存储器单元并联。

7.如权利要求5所述的多重状态存储器元件，更包括：一第一选择开关以及一第二选择开关，二者具有相同的一开关结构，分别电性连接该第一存储器单元和该第二存储器单元；

当该第一开关与该第一存储器单元串联，且该第二开关与该第二存储器单元串联时，该第一选择开关包括：

一第一栅极，连接一第一字线；

一第一源极，连接一共同源极线；以及

一第一漏极，通过该第一存储器单元和该第一控制单元连接至一位线；

该第二选择开关包括：

一第二栅极，连接一第二字线；

一第二源极，连接该共同源极线；以及

一第二漏极，通过该第二存储器单元和该第二控制单元连接至该位线；当该第一开关与该第一存储器单元并联，且该第二开关与该第二存储器单元并联时，该第一选择开关包括：

一第一栅极，连接一第一字线；

一第一源极，链接该第一存储器单元的一端；以及

一第一漏极，链接该第一存储器单元的另一端；

该第二选择开关包括：

一第二栅极，连接一第二字线；

一第二源极，链接该第二存储器单元的一端；以及

一第二漏极，链接该第二存储器单元的另一端。