[发明专利]一种槽栅超结器件

权利要求书

1.一种槽栅超结器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、第一导电类型半导体衬底(2)、漂移区、金属化源极(10)；所述漂移区的上部具有槽型栅电极(5)，所述槽型栅电极(5)的侧面和底部被栅氧化层(6)包围，所述槽型栅电极(5)的两侧分别具有一个第二导电类型半导体体区(8)，所述第二导电类型半导体体区(8)与槽型栅电极(5)通过栅氧化层(6)隔离，所述第二导电类型半导体体区(8)中具有重掺杂第一导电类型半导体源区(7)和重掺杂第一导电类型半导体接触区(9)，且第一导电类型半导体源区(7)与栅氧化层(6)接触；所述金属化源极(10)的两端向下延伸进入第二导电类型半导体体区(8)形成槽型金属化源极结构，所述重掺杂第一导电类型半导体接触区(9)位于金属化源极(10)两端槽型的底部并相接触；漂移区的中部具有第二导电类型半导体柱区(3)和第一导电类型半导体柱区(4)，第一导电类型半导体柱区(4)位于第二导电类型半导体柱区(3)的两侧，且所述第二导电类型半导体柱区(3)位于槽型栅电极(5)的正下方，所述第二导电类型半导体柱区(3)的横向宽度不超过槽型栅电极(5)的横向宽度，其特征在于：所述第一导电类型半导体柱区(4)中具有窄禁带第一导电类型半导体区(41)和宽禁带第一导电类型半导体区(42)，所述宽禁带第一导电类型半导体区(42)位于第二导电类型半导体体区(8)的下表面与第二导电类型半导体柱区(3)之间，且宽禁带第一导电类型半导体区(42)的横向宽度不小于重掺杂第一导电类型半导体源区(7)的横向宽度，宽禁带第一导电类型半导体区(42)的一个侧面与底面和窄禁带第一导电类型半导体区(41)接触。

2.根据权利要求1所述的一种槽栅超结器件，其特征在于：所述窄禁带第一导电类型半导体区(41)和宽禁带第一导电类型半导体区(42)具有相同的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的一种槽栅超结器件，其特征在于：所述窄禁带第一导电类型半导体区(41)的禁带宽度Eg1小于宽禁带第一导电类型半导体区(42)的禁带宽度Eg2。

4.根据权利要求1所述的一种槽栅超结器件，其特征在于：所述窄禁带第一导电类型半导体区(41)采用的材料为砷化铟或锑化镓，所述宽禁带第一导电类型半导体区(42)采用的材料为氮化镓或碳化硅。

5.根据权利要求1所述的一种槽栅超结器件，其特征在于：第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。