[发明专利]基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥工艺

权利要求书

1.一种基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥工艺，其中，光伏硅片是经切片，倒角，研磨，抛光加工成的硅片，其特征在于将微波清洁用于光伏硅片有机物的清除，包括以下步骤：

(1)将盛装光伏硅片的花篮转移至微波干燥炉中；

(2)启动微波电源，进行加热，并利用红外温度传感器监控光伏硅片表面温度；步骤(2)中加热时间为205-215s；

(3)加热完成后，开启微波干燥炉上方排气口，从光伏硅片下方输入空气流，排出微波干燥炉内的废气；红外温度传感器反馈光伏硅片表面温度低于50℃，停止输入空气流，清洗干燥工艺完毕，去除光伏硅片表面残余的有机物。

2.根据权利要求1所述的基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥工艺，其特征在于：步骤(2)中微波电源频率为2.45GHz或5.8GHz；微波电源功率为300-4000W。

3.根据权利要求1所述的基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥工艺，其特征在于：步骤(2)中加热开始后，光伏硅片表面温度随时间升高，在25-35s达到稳定值60-90℃，根据红外温度传感器的回馈，温度稳定180s后，关掉微波电源，加热完成。

4.根据权利要求1所述的基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥工艺，其特征在于：步骤(3)中空气流输入速度为1-10L/min，空气流输入过程持续5-20s。

5.根据权利要求1所述的基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥工艺，其特征在于：光伏硅片表面存在金属和无机物时，在步骤(1)之前增加按照金属和无机物清洗流程清洗光伏硅片的步骤。

6.根据权利要求5所述的基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥工艺，其特征在于：步骤(2)中加热时间为25-60s。

7.根据权利要求6所述的基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥工艺，其特征在于：步骤(2)中加热开始后，光伏硅片表面温度随时间升高，在15-50s达到峰值80-300℃，根据红外温度传感器的回馈，温度停止上升后10s，关掉微波电源，加热完成。

8.一种实现权利要求1所述工艺的基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥装置，包括微波干燥炉本体(3)，其特征在于：微波干燥炉本体(3)顶部开设光伏硅片出入口(1)和供废气排出的上方排气口(2)，内部设置样品支架(4)，样品支架(4)内部设置贯通样品支架(4)的用于输入空气流的进气管路(5)，微波干燥炉本体(3)上还设置红外温度传感器(9)。

9.根据权利要求8所述的基于微波处理的非传统光伏硅片清洗干燥装置，其特征在于：微波干燥炉本体(3)外部设置1-4个微波加热装置(8)；微波干燥炉本体(3)底部安装有三个底部支撑(6)；在微波干燥炉本体(3)的顶部或侧面设置红外温度传感器(9)。