[发明专利]包括电容器的半导体器件在审
| 申请号： | 201810971335.6 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN110034099A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 姜相列;曹圭镐;林汉镇;黄澈盛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质层 半导体器件 绝缘图案 开关元件 隔离层 焊盘 电容器 电容器电介质 导电焊盘 电极 侧表面 单晶 多晶 电连接 下电极 基板 穿过 | ||
1.一种半导体器件，包括：
开关元件，在基板上；
焊盘隔离层，在所述开关元件上；
导电焊盘，配置为穿过所述焊盘隔离层并电连接到所述开关元件；
绝缘图案，在所述焊盘隔离层上并配置为具有比水平宽度大的高度；
下电极，在所述绝缘图案的侧表面上并与所述导电焊盘接触；
电容器电介质层，在所述下电极上并包括单晶电介质层和多晶电介质层，所述单晶电介质层与所述多晶电介质层相比相对靠近所述绝缘图案的侧表面；以及
上电极，在所述电容器电介质层上。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极包括单晶钙钛矿下导电层和多晶钙钛矿下导电层。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述单晶钙钛矿下导电层与所述多晶钙钛矿下导电层相比相对靠近所述绝缘图案的所述侧表面。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述下电极包括SrRuO3、BaSnO3、(La,Sr)CoO3、(La,Sr)CuO3、(La,Sr)MnO3、LaNiO3、SrSnO3、SrMoO3或其组合。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述单晶电介质层包括单晶钙钛矿电介质层，
所述多晶电介质层包括多晶钙钛矿电介质层，并且
所述单晶钙钛矿电介质层与所述多晶钙钛矿电介质层相比相对靠近所述绝缘图案的所述侧表面。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电容器电介质层包括SrTiO3、BaTiO3、(Ba,Sr)TiO3、CaTiO3、PbTiO3、KTaO3、NaNbO3、HfPbO3、KNbO3或其组合。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电容器电介质层包括超晶格结构，所述超晶格结构包括从SrTiO3、BaTiO3、(Ba,Sr)TiO3、CaTiO3、PbTiO3、KTaO3、NaNbO3、HfPbO3和KNbO3当中选择并彼此交替地堆叠的至少两种材料。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上电极包括单晶钙钛矿上导电层和多晶钙钛矿上导电层。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述单晶钙钛矿上导电层形成为与所述多晶钙钛矿上导电层相比相对靠近所述单晶电介质层。
10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述上电极包括SrRuO3、BaSnO3、(La,Sr)CoO3、(La,Sr)CuO3、(La,Sr)MnO3、LaNiO3、SrSnO3、SrMoO3或其组合。
11.如权利要求1所述的半导体器件，还包括具有单晶钙钛矿材料且在所述绝缘图案和所述下电极之间的籽晶层。
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