[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底和鳍部，所述半导体衬底包括PMOS区和NMOS区，所述鳍部包括P区鳍部和N区鳍部，所述P区鳍部和所述N区鳍部分别对应形成于所述PMOS区和所述NMOS区上方；

形成覆盖所述鳍部表面的第一保护层；

在相邻所述鳍部之间形成层间介质层；

除去部分所述层间介质层和部分所述第一保护层，以暴露所述P区鳍部上部的侧壁和所述N区鳍部上部的侧壁；

其中，暴露所述P区鳍部上部的侧壁和所述N区鳍部上部的侧壁的工艺步骤包括：

刻蚀部分所述层间介质层，以暴露形成于所述P区鳍部上部的所述第一保护层；

刻蚀所述P区鳍部上部暴露的所述第一保护层；

刻蚀形成于所述NMOS区的部分所述层间介质层，以暴露形成于所述N区鳍部上部的所述第一保护层；和

刻蚀除去NMOS区暴露的所述第一保护层和刻蚀所述P区鳍部上部余下的所述第一保护层以及部分所述P区鳍部，使得所述P区鳍部上部在暴露侧壁处的宽度尺寸小于所述N区鳍部上部在暴露侧壁处的宽度尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在暴露所述P区鳍部上部的侧壁和所述N区鳍部上部的侧壁后，所述P区鳍部上部的宽度尺寸小于所述P区鳍部下部的宽度尺寸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成第一保护层后，形成所述层间介质层前，还包括：

在相邻所述鳍部之间形成牺牲层；

除去部分所述牺牲层，以暴露形成于所述PMOS区的部分所述第一保护层；

除去所述PMOS区暴露的所述第一保护层，以暴露部分所述P区鳍部；

除去余下的所述牺牲层，暴露所述余下的所述第一保护层；和

在所述第一保护层表面和暴露的所述P区鳍部表面形成第二保护层，保护层包括所述第一保护层和所述第二保护层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，暴露所述P区鳍部的部分侧壁和所述N区鳍部的部分侧壁的工艺步骤包括：

除去部分所述层间介质层，以暴露部分所述第二保护层；

刻蚀除去暴露的所述第二保护层，以暴露出所述P区鳍部和位于所述N区鳍部上的所述第一保护层；和

刻蚀除去形成于所述N区鳍部上暴露的所述第一保护层和暴露的所述P区鳍部。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括SiN_x、SiO₂或α-Si中的一种或多种组合。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一保护层或所述第二保护层的厚度尺寸范围为

7.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层后，所述P区鳍部上部表面的保护层厚度小于所述N区鳍部上部表面的保护层厚度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层后，所述P区鳍部上部表面的保护层厚度小于所述P区鳍部下部表面的保护层厚度，所述P区鳍部下部表面的保护层厚度与所述N区鳍部下部表面的保护层厚度相等。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层的工艺包括流体化学气相沉积工艺。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层后，还包括对所述层间介质层进行退火工艺处理。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的步骤包括：先进行水汽退火工艺处理，再进行快速热退火工艺处理。