[发明专利]用于液晶显示装置的阵列衬底有效
申请号: | 201810972669.5 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109426043B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 林澈佑;金观 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G09G3/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;杨华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 液晶 显示装置 阵列 衬底 | ||
一种用于液晶显示装置的阵列衬底可以包括:多个栅极线,所述多个栅极线沿一个方向被布置成与衬底上的有源区对应;多个数据线,所述多个数据线被配置成在垂直方向上与所述多个栅极线交叉;多个像素电极,所述多个像素电极被分别定位在所述多个栅极线与所述多个数据线之间的交叉处;以及多个数据链接线,所述多个数据链接线分别连接至有源区中的第(4n‑2)数据线和非有源区中的第(4n‑2)数据垫以及有源区中的第(4n‑1)数据线和非有源区中的第(4n‑1)数据垫,其中n是自然数,其中,所述多个数据链接线中的至少一些位于与所述多个数据线不同的层级。
对相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年8月25日在韩国提交的韩国专利申请第10-2017-0107741号的权益,其全部内容通过引用并入本文,如同在本文完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及液晶显示装置,更具体地,涉及用于增强数据链接线的连接结构以增强闪烁特性的用于液晶显示装置的阵列衬底。
背景技术
通常,因为液晶显示装置是平板型显示装置,其与使用阴极射线管(CRT)的显示装置相比具有优异的可视性,并且与具有等同屏幕尺寸的CRT相比具有低的平均功耗,并且还具有小的加热值。近来,液晶显示装置以及等离子显示装置或场发射显示装置作为用于便携式电话、计算机或电视(TV)的监视器的下一代显示装置已引起关注。
使用基于液晶的光学各向异性和极化率的原理来驱动液晶显示装置。液晶在结构上薄且长并且在分子布置中具有方向性,并且在这方面,人为地将电场施加到液晶来控制分子布置的方向。
因此,当任意调节液晶的分子布置的方向时,液晶的分子布置改变,并且光在液晶的分子布置的方向上折射,以基于液晶的光学各向异性来表示图像信息。
在下文中,参考附图描述相关技术的液晶显示装置。
图1是相关技术的液晶显示装置的阵列衬底的平面图。
如图所示,用于相关技术的液晶显示装置的阵列衬底10被划分为有源区AA和非有源区NAA,在有源区AA中实现图像,在非有源区NAA中没有实现图像。
在衬底10上的有源区AA中,在一个方向上用于接收扫描信号的第一栅极线GL1至第m栅极线GLm以及与第一栅极线GL1至第m栅极线GLm垂直交叉以限定多个像素区P并接收数据信号的第一数据线DL1至第n数据线DLn可以布置成矩阵。
用作开关的多个薄膜晶体管T可以根据一一对应关系配置在第一栅极线GL1至第m栅极线GLm与第一数据线DL1至第n数据线DLn之间的交叉处,并且可以根据一一对应关系接触与像素区对应的像素电极80。
第一栅极线GL1至第m栅极线GLm以及第一数据线DL1至第n数据线DLn可以分别通过对应于非有源区NAA的第一栅极链接线GLL1至第m栅极链接线GLLm和第一数据链接线DLL1至第n数据链接线DLLn连接至第一栅极垫GP1至第m栅极垫GPm以及第一数据垫DP1至第n数据垫DPn。
在这种情况下,第一栅极垫GP1至第m栅极垫GPm和第一数据垫DP1至第n数据垫DPn可以分别通过第一栅极垫接触孔至第m栅极垫接触孔和第一数据垫接触孔至第n数据垫接触孔接触并且对应于在与像素电极80相同的层级由与像素电极80相同的材料形成的第一栅极垫电极至第m栅极垫电极和第一数据垫电极至第n数据垫电极,第一栅极垫GP1至第m栅极垫GPm和第一数据垫DP1至第n数据垫DPn分别通过第一栅极垫接触孔至第m栅极垫接触孔和第一数据垫接触孔至第n数据垫接触孔被暴露。
第一栅极垫电极至第m栅极垫电极和第一数据垫电极至第n数据垫电极附接至栅极和数据驱动电路单元,该栅极和数据驱动电路单元经由带式自动接合(TAB)安装过程设置在与衬底10间隔开的一侧,并且因此,将来自栅极和数据驱动电路单元的扫描和数据信号分别发送至第一栅极线GL1至第m栅极线GLm和第一数据线DL1至第n数据线DLn。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810972669.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。