[发明专利]一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法

说明书

本发明公开了一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法，包括整地、施肥、起垄、覆膜、移栽，本发明在长期试验及示范的基础上，建立了一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法，此栽培方法加速了伸根期烟株根系早生快发，促进了根系生长和烟株生长的协调一致，增强了烟株抵御干旱能力，提高了烤烟的质量和等级结构，具有较高的推广价值。

技术领域

本发明属于农作物栽培技术领域，具体涉及一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法。

背景技术

根系是作物吸收土壤养分和水分的主要器官，根系的发育与土壤中水分养分的分布、运移、消耗等密切相关，并且与作物地上部生长和产量形成有直接关系。烟草根系作为固着器官、吸收器官以及重要的合成器官，它的生长情况不仅影响到烟叶的产量，更重要的是影响烟叶的品质。因此培育强大的根系系统，提高根系的吸收养分和水分的能力，促进烟叶生长，协调烟叶内在化学成分是烟草栽培亟待解决的关键问题之一。

覆膜时垄体含水量对烟株生长前期的根系发育至关重要。近10年来，长江中上游烟区烟叶生产管理者对覆膜时垄体含水量存在较大争议，目前在烟草栽培上普遍实行的“足墒”覆膜（垄体田间持水量≥80%），易导致团棵期烟株出现“徒长”，严重影响了烟株根系发育，在旺长期因烟株根系对养分和水分的吸收满足不了生长需求，使得叶片数偏少，中、下部叶身份偏薄，上部叶身份偏厚，且整个烟株叶片开片较差。

发明内容

本发明提供了一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法，本发明适用于长江中上游烟叶产区，它能加速伸根期烟株根系早生快发，促进烟株生长发育，提高烟叶产量和品质。

一种促进烤烟生长前期根系发育的栽培方法，包括整地、施肥、起垄、覆膜、移栽，具体包括以下步骤：

A、整地：前茬作物收获后，对土壤进行深翻，深翻深度为25~30cm，翻耕后旋耕细耙，做到土垡细碎；

B、开沟施肥：于整地完毕的烟田，按照110~120cm距离开挖施肥沟，施肥沟深度为5~10cm，以保证烟苗根系在肥料层上2~4cm处，然后条施1500~3000kg/hm2有机肥以及根据当地施肥习惯施用相应量的烟草专用肥；

C、起垄：以施肥沟为中心进行起垄，平地要求垄高30~35cm，垄底宽60~70cm，垄面宽25~30cm；小于15°坡地要求垄高25~30cm，垄底宽55~65cm，垄面宽30~35cm，所述垄体均要求匀直、饱满；

D、覆膜：当垄体土壤含水量达田间持水量的55%~70%时覆膜；地膜采用黑白相间膜，黑色面朝下，白色面朝上，地膜宽度90~100cm，厚度0.008cm；

E、移栽：选择有5~6片真叶，茎高4~6cm，均匀整齐，叶色黄绿色，茎杆韧性强，根系发达，无病虫害侵染的烟苗进行移栽；移栽前按50~55cm的株距打穴，穴直径10~12cm，深15~18cm，烟苗自然高度的顶部距穴口3~5cm；烟苗四周再施入营养土，每株烟苗浇1~2kg定根水，喷施一次杀虫剂；

F、填土、封膜：当烟苗生长点高出垄面2~3cm时，用细土将移栽穴填满，并将膜口用土密封；之后进入常规管理。

步骤B中，所述的有机肥为商品有机肥，以干基计其有机质含量≥45.0%，以干基计总养分（N+P₂O₅+K₂O）含量≥5.0%，游离水水分含量 ≤30.0%；

所述的烟草专用肥为复合肥，其养分比例为N: P₂O₅: K₂O=1.0: 1.0~1.5: 3.0~3.5；

步骤C中所述的起垄根据伸根期不同降雨量规定垄顶的形状；

伸根期降雨量100mm的区域垄顶为瓦背状，伸根期降雨量100mm的区域垄顶为平顶状。