[发明专利]一种光学投影模组在审

专利信息
申请号: 201810976723.3 申请日: 2018-08-25
公开(公告)号: CN108919597A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 王小明 申请(专利权)人: 深圳阜时科技有限公司
主分类号: G03B21/20 分类号: G03B21/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518055 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 光源结构 发射 被测目标 光束调制 光学投影 预设图案 图案化 模组 投射 电子技术领域 半导体基底 扩散 光强均匀 光束扩散 图案光束 泛光 感测 光场 排布 申请
【权利要求书】:

1.一种光学投影模组,用于投射预设图案至被测目标物上进行感测,其包括光束调制元件及光源结构,所述光源结构包括发出第一光束的第一发射部及发出第二光束的第二发射部,所述第一发射部及第二发射部形成在同一个半导体基底上或相互连接以集成为整体结构,所述光束调制元件包括扩散部及图案化部,所述扩散部对应光源结构的第一发射部进行设置,用于将所述第一光束扩散形成光强均匀分布的泛光光束,所述图案化部对应光源结构的第二发射部进行设置,用于将所述第二光束的光场进行重新排布形成能够在被测目标物上投射出预设图案的图案光束。

2.如权利要求1所述的光学投影模组,其特征在于:所述第一发射部包括多个用于发射第一光束的第一发光体,所述第二发射部包括多个用于发射第二光束的第二发光体,所述第一发光体和第二发光体形成在同一个半导体基底上并可分别被独立地控制发光,所述半导体基底上定义出位于半导体基底中部的第一发光区域以及围绕所述第一发光区域设置的第二发光区域。

3.如权利要求2所述的光学投影模组,其特征在于:所述第一发光体在半导体基底上按照预设的相同间隔均匀分布,所述第二发光体在半导体基底上不规则分布或者按照预设的相同间隔均匀分布。

4.如权利要求3所述的光学投影模组,其特征在于:所述第一发光体形成在半导体基底的第一发光区域内,所述第二发光体形成在半导体基底的第二发光区域内;或

所述第一发光体形成在半导体基底的第二发光区域内,所述第二发光体形成在半导体基底的第一发光区域内。

5.如权利要求4所述的光学投影模组,其特征在于:所述第一发光区域为矩形,所述第二发光区域对应设置在第一发光区域的四个边角处。

6.如权利要求4所述的光学投影模组,其特征在于:所述第二发光区域为在所述第一发光区域外包围所述第一发光区域一圈的框形区域,所述第一发光区域与第二发光区域之间最小间距D的大小满足条件其中H为光源结构的发光面与设置在光源结构上方顺序排列的第一个光学元件之间的距离,θ为从第一发光区域和第二发光区域所发出光束的最大发散角度。

7.如权利要求4所述的光学投影模组,其特征在于:所述第一发光区域为位于半导体基底中部的矩形,所述第二发光区域为所述半导体基底形成有发光体的表面上除了第一发光区域以外的其他区域。

8.如权利要求1所述的光学投影模组,其特征在于:所述第一发射部包括形成在一第一半导体基底上的第一发光体及导光板,所述导光板包括入光面及出光面,所述第一发光体对应导光板的入光面设置,所述第二发射部设置在导光板出光面的中间位置,所述第二发射部包括形成在一第二半导体基底上的一个或多个第二发光体。

9.如权利要求8所述的光学投影模组,其特征在于:所述多个第二发光体在第二半导体基底上不规则分布;或

所述多个第二发光体在第二半导体基底上按照预设的相同间隔均匀地排布。

10.如权利要求1所述的光学投影模组,其特征在于:所述第二发射部包括一个形成在半导体基底中部的第二发光体,所述第一发射部包括多个围绕所述第一发光体对称分布的第一发光体,所述第一发光体及第二发光体形成在同一个半导体基底上并分别被独立地控制发光,所述第一发光体和第二发光体均为单孔宽面型垂直腔面发射激光器;或

所述第二发射部包括多个不规则分布在半导体基底中部的第二发光体,所述第一发射部包括围绕所述多个第二发光体所在区域对称分布的多个第一发光体,所述第一发光体及第二发光体形成在同一个半导体基底上并分别被独立地控制发光,所述第一发光体为单孔宽面型垂直腔面发射激光器,所述第二发光体为多个垂直腔面发射激光器组成的发光阵列。

11.如权利要求10所述的光学投影模组,其特征在于:所述第一发光体的单孔宽面型垂直腔面发射激光器的发光面形状可以为矩形或直角框条形。

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