[发明专利]一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻

权利要求书

1.一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、第一反铁磁层/[铁磁层/第二反铁磁层]n的多层薄膜和覆盖层薄膜；单层铁磁层的厚度100nm，n×单层铁磁层的总厚度为100～300nm；其中，n≥2，n的具体数值根据所需要的探测磁场范围进行调节，在n×单层铁磁层的总厚度不变的情况下，n越大，探测磁场的范围越大，n越小，探测磁场范围越小；所述各向异性磁电阻实现了大于20Gs磁场范围的探测。

2.根据权利要求1所述的基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述缓冲层薄膜为Ta或Cu。

3.根据权利要求1所述的基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述第一反铁磁层和第二反铁磁层的材料为FeMn、NiMn、IrMn或PtMn，厚度为5～20nm。

4.根据权利要求1所述的基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述铁磁层的材料为Ni、Fe、Co或Ni/Fe/Co的合金。

5.根据权利要求1所述的基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述覆盖层薄膜为Ta、SiO₂或Al₂O₃。

6.一种如权利要求1所述基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、采用薄膜溅射工艺在基片上沉积缓冲层薄膜；

步骤2、采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积第一反铁磁层/[铁磁层/第二反铁磁层]n形成的多层薄膜、覆盖层薄膜，其中，n≥2。

7.根据权利要求6所述的基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻的制备方法，其特征在于，步骤2所述外磁场H方向沿磁电阻薄膜膜面长轴方向，大小为50Gs～300Gs。